[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910324876.4 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111834203B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干分立的第一区和若干分立的第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接，所述第二区包括第二槽区；
在所述待刻蚀层的第一区和第二区上形成第一掩膜层；
在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子；
在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子之后，在第一掩膜层上形成第二掩膜层；
在第一区形成贯穿第一掩膜层和第二掩膜层的第一槽；
在第一槽的侧壁形成掩膜侧墙；
形成所述掩膜侧墙后，去除第二掩膜层；
去除第二掩膜层后，以所述掩膜侧墙和具有掺杂离子的第一掩膜层为掩膜刻蚀去除第二槽区的第一掩膜层，在第二区的第一掩膜层中形成第二槽，第二槽的侧壁暴露出掩膜侧墙。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子包括硼离子或砷离子。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子之前，所述第一掩膜层的材料包括非晶硅、氮化硅或氧化硅；所述第二掩膜层的材料包括非晶硅、氮化硅或氧化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度与所述第二掩膜层的厚度之比为1:4～4:1。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成第一槽的工艺包括各向异性干刻工艺，在形成第一槽的过程中，对具有掺杂离子的第一掩膜层的刻蚀速率与对未注入有掺杂离子的第一掩膜层的刻蚀速率之比为1:1.5～1.5:1。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜侧墙的方法包括：在所述第一槽的侧壁和底部、以及第二掩膜层的顶部表面形成侧墙膜；回刻蚀所述侧墙膜直至去除第一槽底部的侧墙膜和第二掩膜层顶部表面的侧墙膜，形成所述掩膜侧墙。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜侧墙的厚度为5纳米～20纳米。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在垂直于待刻蚀层表面的方向上，所述掩膜侧墙的高度为30纳米～80纳米。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜侧墙的材料包括SiO2、SiN、TiO2、TiN、AlN或Al2O3。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除第二槽区的第一掩膜层的工艺为湿法刻蚀工艺。
11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二槽区的第一掩膜层的材料和第二掩膜层的材料相同；在同一道刻蚀工艺中去除第二掩膜层和第二槽区的第一掩膜层。
12.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀第一槽底部的待刻蚀层，在待刻蚀层中形成第一目标槽；刻蚀第二槽底部的待刻蚀层，在待刻蚀层中形成第二目标槽；在第一目标槽中形成第一导电层；在第二目标槽中形成第二导电层。
13.一种根据权利要求1至12任意一项方法形成的半导体器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910324876.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
