[发明专利]超薄紫外发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种超薄紫外发光器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底一侧制作半导体层，所述半导体层包括依次制作的U型氮化物半导体层、N型氮化物半导体层、多量子阱层以及P型氮化物半导体层；

在所述半导体层背离所述第一衬底一侧制作P型金属层；

基于所述P型金属层制作阻挡层将所述P型金属层的表面和侧面覆盖，以包覆所述P型金属层；

基于所述半导体层制作形成将所述N型氮化物半导体层暴露的接触孔；

在所述接触孔中制作与所述N型氮化物半导体层连接的N型电极；

制作绝缘层，所述绝缘层覆盖所述阻挡层、N型电极以及所述N型电极与所述半导体层之间的间隙；

去除所述绝缘层位于所述N型电极表面的部分，形成暴露所述N型电极的电极孔；

基于所述绝缘层和电极孔制作与所述N型电极连接的连接层；

基于所述连接层键合连接第二衬底；

去除所述第一衬底；

制作用于形成多个芯片单元的划片槽，并制作用于形成P型电极的P型电极区域；

对所述U型氮化物半导体层的表面进行粗化；

在所述P型电极区域中制作与所述P型金属层连接的P型电极；

去除所述第二衬底，并基于所述划片槽分割形成多个芯片单元，完成所述超薄紫外发光器件的制备。

2.根据权利要求1所述的超薄紫外发光器件的制备方法，其特征在于，基于所述连接层键合连接第二衬底的步骤包括：

在所述连接层的表面和所述第二衬底的表面分别涂覆粘合剂；

在键合条件下，将所述连接层和所述第二衬底键合连接，其中，键合温度为100℃-200℃，键合连接固化时间为5-15min，键合力度为3-10KN。

3.根据权利要求1所述的超薄紫外发光器件的制备方法，其特征在于，制作用于形成P型电极的P型电极区域的步骤包括：

基于所述U型氮化物半导体层的部分表面生长一次保护层；

基于所述一次保护层，去除所述N型氮化物半导体层、多量子阱层和P型氮化物半导体层的一部分，将部分所述P型金属层暴露；

去除所述一次保护层，并基于暴露出的P型金属层制作二次保护层，所述二次保护层将暴露出的P型金属层、阻挡层、绝缘层覆盖，并覆盖所述U型氮化物半导体层、N型氮化物半导体层、多量子阱层和P型氮化物半导体层的侧面；

在所述P型电极区域中制作与所述P型金属层连接的P型电极的步骤包括：

去除所述二次保护层的一部分，将所述P型金属层暴露；

制作与暴露出的所述P型金属层的电极，形成所述P型电极。

4.根据权利要求3所述的超薄紫外发光器件的制备方法，其特征在于，所述一次保护层、二次保护层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或者多种。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的超薄紫外发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底或氮化铝衬底。

6.根据权利要求1至4任意一项所述的超薄紫外发光器件的制备方法，其特征在于，所述P型金属层为镍、银、铝、金、铂、钯、镁或钨、铑中的一种或几种的组合。

7.根据权利要求1至4任意一项所述的超薄紫外发光器件的制备方法，其特征在于，所述阻挡层为镍、金、钛、铂、钯或钨、氮化钛中的一种或几种的组合。

8.根据权利要求1至4任意一项所述的超薄紫外发光器件的制备方法，其特征在于，所述绝缘层为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种或几种的组合。

9.根据权利要求1至4任意一项所述的超薄紫外发光器件的制备方法，其特征在于，所述第二衬底为玻璃衬底、石英衬底或蓝宝石衬底。

10.一种超薄紫外发光器件，其特征在于，该超薄紫外发光器件采用权利要求1至9任意一项所述的制备方法制备得到。