[发明专利]用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法

权利要求书

1.一种用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，包括如下的步骤：

a)获取待处理晶片的坐标；

b)根据坐标信息，紫外激光器输出紫外光斑逐个对通过UV胶粘附在基膜上的待处理晶片进行紫外照射；

c)将晶片所在基膜位置上的UV胶失去粘性，晶片能够转移或取下。

2.根据权利要求1所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，

a)将晶片以阵列形式粘附在具有UV胶的基膜上；获取基膜上所有晶片的坐标信息，形成位置地图数据库；对所有晶片进行测试，并将测试结果录入到位置地图数据库中；根据需求，按照测试结果对晶片进行分类；

b)根据相同一类晶片坐标信息，紫外激光器输出紫外光斑逐个对通过UV胶粘附在基膜上的待处理晶片紫外照射一定时长，使晶片与基膜上的UV胶失去粘性；

c)晶片用负压装置转移另一张基膜。

3.根据权利要求2所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，

a)采用机器视觉测量基膜上整个阵列晶片的坐标。

4.根据权利要求3所述的用紫外激光器让UV胶失圡粘性联的方法，其特征在于，

b)紫外激光器输出紫外光斑，从基膜的方向射入，从晶片的方向射出。

5.根据权利要求4所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，

a)所述基膜上方覆盖一层UV胶层，晶片粘到UV胶上，晶片和UV胶层上方覆盖有离型膜。

6.根据权利要求5所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，

c)通过将离型膜的撕下，将失去粘性晶片一并取下。

7.根据权利要求4所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，

c)将失联的晶片采用负压吸嘴转移到指定位置。

8.根据权利要求4所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，

c)将基膜抖动或者翻转，使晶片从基膜上脱落。

9.根据权利要求1至8任一项所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，所述晶片是集成电路、IC、传感器、发光二极管芯片、激光芯片中的任一种。

10.根据权利要求1至8任一项所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，所述基膜的材料为薄形透明材料；所述晶片由可粘附在具有UV胶的基膜上且可用视觉机器分类的物件代替。