[发明专利]一种SRAM输出路径时序测试电路及测试方法有效

专利信息
申请号: 201910329460.1 申请日: 2019-04-23
公开(公告)号: CN109994144B 公开(公告)日: 2020-05-26
发明(设计)人: 朱建银;张吉利;周俊;林福江;马建强 申请(专利权)人: 江苏科大亨芯半导体技术有限公司
主分类号: G11C29/10 分类号: G11C29/10;G11C29/14
代理公司: 苏州睿昊知识产权代理事务所(普通合伙) 32277 代理人: 马小慧
地址: 215000 江苏省苏州市吴江区松*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 sram 输出 路径 时序 测试 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种SRAM输出路径时序测试电路,其特征在于:包括诱导DFF、TDF控制电路、SRAM、输入二路选择器MUX、输出二路选择器MUX、时钟控制模块、EDA工具,所述TDF控制电路包括监测电路、SRAM读写控制电路、输入mux切换控制电路和输出mux切换控制电路,所述SRAM输入侧DFF和SRAM读写控制电路均通过输入二路选择器MUX与SRAM输入端连接,所述输入mux切换控制电路与输入二路选择器MUX连接,所述诱导DFF输出端和SRAM输出端通过输出二路选择器与SRAM输出侧DFF连接,所述输出mux切换控制电路与输出二路选择器MUX连接,所述SRAM输入侧DFF、诱导DFF和SRAM输出侧DFF串成扫描链scan chain,所述EDA工具用于产生扫描使能信号Scan enable以及测试pattern,所述时钟控制模块OCC用于将测试pattern输入扫描链scan chain;

其中,在输入期间,扫描使能信号Scan enable为1,输入结束后,扫描使能信号Scanenable为0,在所述时钟控制模块OCC产生两个连续的function clock pulse后,扫描使能信号Scan enable变为1。

2.如权利要求1所述的SRAM输出路径时序测试电路,其特征在于,所述监测电路与诱导DFF的输入端和输出端连接。

3.一种SRAM输出路径时序测试方法,应用于如权利要求1-2任一所述的测试电路,其特征在于,包括以下步骤:

监测电路检测到扫描使能信号Scan enable的下降沿时,输入mux切换控制电路将输入侧mux切换到SRAM读写控制电路,输出mux切换控制电路将输出侧mux切换到SRAM数据输出端Q;

向SRAM中写第一数值,然后将其读出;

向SRAM中写第二数值;

将SRAM的时钟输入端CLK切换到时钟控制模块OCC;

时钟控制模块OCC产生两个连续的function clock pulse;

将扫描链scan chain中的数据导出,并和EDA工具预期结果进行比对。

4.如权利要求3所述的SRAM输出路径时序测试方法,其特征在于,所述时钟控制模块OCC产生两个连续的function clock pulse之后,将扫描链scan chain中的数据导出之前还包括以下步骤:

当监测电路检测到扫描使能信号Scan enable的上升沿,输入mux切换控制电路将输入侧mux切换到输入侧DFF输出端,输出mux切换控制电路将输出侧mux切换到诱导DFF输出端。

5.如权利要求3所述的SRAM输出路径时序测试方法,其特征在于,所述监测电路实时获取诱导DFF的输入端和输出端数据。

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