[发明专利]一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物及制备方法有效
| 申请号： | 201910329901.8 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN109999881B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 温翠莲;李瑞峰;张致远;萨百晟;白诺楠;彭建邦 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J37/08 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 交相 主族硫属化物 制备 方法 | ||
1.一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物的制备方法，其特征在于：采用化学气相沉积法制备得到掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物，其为氩气气氛下生成N掺杂的InSe、InS、GaSe和GaS中的任意一种；所述方法包括以下步骤：
(1) 将前驱物以及银箔基底按照气流方向分别放置在三温区的高温管式炉中；其中，三温区分别放置S源和Se源中的一种、In源和Ga源中的一种、银箔基底；
(2) 将反应腔的真空度抽至6KPa，通入氩气对高温管式炉的反应腔进行清洗；
(3) 通入氩气和氨气，同时加热三温区的高温管式炉，反应生成N掺杂的InSe、InS、GaSe和GaS中的任意一种，沉积于银箔基底上；
(4) 自然冷却至室温后同时关闭氩气和氨气，即在银箔基底上得到掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1) 所述的银箔基底预先进行处理，其包括，将银箔基底放入NaOH溶液中清洗，后在去离子水溶液中进行超声清洗，再将清洗完毕的基底进行高温预退火处理。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)通入氩气和氨气的流速分别为50-60sccm和10-30sccm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的S源是S粉；所述的Se源是Se粉；所述的In源是粉体In2O3；所述的Ga源是三乙基镓。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3) 所述S源的加热温度为170-200℃；所述Se源的加热温度为240-270℃；所述In源的加热温度为610-640℃；所述Ga源的加热温度为80-110℃，所述银箔基底的加热温度为660-690℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)的反应时间为10-20min。
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