[发明专利]一种MWT太阳能电池及其制备工艺

权利要求书

1.一种MWT太阳能电池，包括电池基片(1)，其特征在于：所述电池基片(1)的顶部粘接有减反射膜(2)，并且减反射膜(2)的顶部固定连接有导电栅线(3)，所述电池基片(1)的底部固定连接有电池基片背电场(4)，并且减反射膜(2)、电池基片(1)和电池基片背电场(4)的内部均固定连接有通孔电极(5)，所述通孔电极(5)的底部固定连接有负电极(6)，并且电池基片(1)的内部固定连接有散热层(7)，所述散热层(7)是由导热硅胶层(71)和铝合金层(72)通过粘合剂(73)粘接而成，并且减反射膜(2)的顶部固定连接有正电极(8)。

2.根据权利要求1所述的一种MWT太阳能电池的制备工艺，其特征在于：具体包括以下步骤：

S1、制备基片,所述基片为已完成PN结扩散工艺、沉积有减反射膜并已经制备好背面电极、电场的硅太阳能电池基片；

S2、使用化学溶液刻蚀晶体硅基体的一面，去除扩磷层形成拋光面，进行磷扩散；

S3、在基片正面制备电极点阵，在基片正面制备副柵线以及主栅线，串通分散的电极点；

S4、利用激光在晶体硅基体上制作导电通孔，在拋光面上使用丝网印刷将导电银浆填满导电通孔形成发射极接触电极；

S5、在拋光面上使用丝网印刷铝浆形成基极接触电极；

S6、在受光面印刷银接触柵线,并与导电通孔相连接；

S7、经烧结形成金属与硅基体欧姆接触，完成太阳电池制作过程。

3.根据权利要求1所述的一种MWT太阳能电池，其特征在于：所述减反射膜(2)为氮化硅减反膜。

4.根据权利要求2所述的一种MWT太阳能电池的制备工艺，其特征在于：晶体硅基体为p型单晶或多晶晶体硅基体,其电阻率为0.1-109.cm,厚度为150-500um,晶体硅基体使用前先经表面制绒处理。

5.根据权利要求2所述的一种MWT太阳能电池的制备工艺，其特征在于：对晶体硅进行磷扩散，磷扩散采用POC13扩散，在晶体硅基体表面形成掺磷的扩散层；或磷扩散使用磷酸溶液喷涂在硅片表面,经驱入在晶体硅基体表面附近形成掺磷的扩散层。

6.根据权利要求2所述的一种MWT太阳能电池的制备工艺，其特征在于：使用化学溶液刻蚀晶体硅基体的背面,去除扩磷层形成拋光面，其中所述的化学溶液为KOH或NaOH水溶液,其重量百分含量为10-4℃,化学刻蚀时的温度为50-90℃或所述的化学溶液为四甲基氢氧化铵或乙二胺溶液,其重量百分含量为10-30％,化学刻蚀时的温度为50-90℃；或所述化学溶液为HF、HNO3和H2SOq中的一种或几种的溶液,其重量百分比为10％-90％,化学刻蚀时的温度5-90℃。