[发明专利]一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池

权利要求书

1.一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，包括n型硅衬底(1)，其特征在于，n型硅衬底(1)顶部从下到上依次设置有第一本征非晶硅层(2)、氧化钼空穴选择层(3)、第一透明导电氧化物层(4)、第一电极层(5)、第二透明导电氧化物层(6)和第二电极层(7)，n型硅衬底(1)底部从上到下依次设置有第二本征非晶硅层(8)、n型重掺非晶硅层(9)、第三透明导电氧化物层(10)、第三电极层(11)、第四透明导电氧化物层(12)和第四电极层(13)，第一电极层(5)包括若干截面为倒三角形的间隔布置的金属栅线A，第三电极层(11)包括若干截面为三角形的间隔布置的金属栅线A，第二电极层(7)和第四电极层(13)均包括若干截面为矩形的间隔布置的金属栅线B，金属栅线B与金属栅线A的位置一一对应。

2.根据权利要求1所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，第二透明导电氧化物层(6)和第四透明导电氧化物层(12)均包括掺钼氧化铟、掺钛氧化铟、掺钨氧化铟中的任一种。

3.根据权利要求2所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，第二透明导电氧化物层(6)和第四透明导电氧化物层(12)的厚度均为50～200nm。

4.根据权利要求1所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，第一透明导电氧化物层(4)和第三透明导电氧化物层(10)均包括掺锡氧化铟。

5.根据权利要求4所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，第一透明导电氧化物层(4)和第三透明导电氧化物层(10)的厚度均为50～100nm。

6.根据权利要求1所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，金属栅线A的宽为50～80um，高为10～30um，金属栅线B的宽为50～80um，高为10～50um。

7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，所有金属栅线A和金属栅线B的材质均为铜、铜合金、银、银合金中的任一种。

8.根据权利要求7所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，n型硅衬底(1)的厚度为60～200um，第一本征非晶硅层(2)和第二本征非晶硅层(8)的厚度均为5～10nm，氧化钼空穴选择层(3)的厚度为50～200nm，n型重掺非晶硅层(9)的厚度为10～200nm。