[发明专利]一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池

说明书

本发明公开了一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，本发明包括n型硅衬底，n型硅衬底顶部从下到上依次设置有第一本征非晶硅层、氧化钼空穴选择层、第一透明导电氧化物层、第一电极层、第二透明导电氧化物层和第二电极层，n型硅衬底底部从上到下依次设置有第二本征非晶硅层、n型重掺非晶硅层、第三透明导电氧化物层、第三电极层、第四透明导电氧化物层和第四电极层，第一电极层包括若干截面为倒三角形的金属栅线，第三电极层包括若干截面为三角形的金属栅线，第二电极层和第四电极层均包括若干截面为矩形的金属栅线，本发明具有结构简单、制造难度低、电池效率和短路电流都比较高的优点。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体的是涉及一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池。

背景技术

随着传统化石能源的储量日益减少，环境污染问题的加剧，新能源代替传统能源必将成为一种趋势，在新能源领域中太阳能有着清洁无污染、资源总量比较丰富、使用比较便捷、安全系数比较高等优点，成为世界各国重点关注和重点扶持发展的新兴战略产业。太阳能电池是利用光生伏特效应直接将太阳能转化为电能的新能源器件，在众多太阳能电池中，异质结太阳能电池是目前最具有高效产业化的硅基太阳能电池。这几年随着光伏技术的创新发展，基于提高效率和降低成本的问题，涌现出了一些新结构的高效晶硅太阳能电池，异质结双面太阳能电池成了比较热门的研究方向，吸引了许多研究机构和高校的研究兴趣，在渔光互补项目的应用前景非常广阔。

在常规的扩散发射极晶硅太阳能电池中，为了增加光通量，采用的方法是制备出均匀的金字塔陷光结构，从而降低晶硅电池表面的反射率，晶硅太阳能电池表面织构化制备出均匀的陷光结构，间接地增加了光通量，对太阳光的充分利用，但是制造难度比较高，且制造成本也比较昂贵，异质结双面太阳能电池的陷光结构设计不太完善，电池效率和短路电流都比较低，对太阳光利用不太充分。

故如何解决上述技术问题，对于本领域技术人员来说很有现实意义。

发明内容

本发明的目的在于：为了解决现有异质结双面太阳能电池的陷光结构采用金字塔式结构，制造难度比较高，且制造成本也比较昂贵，陷光结构设计不太完善，电池效率和短路电流都比较低，对太阳光利用不太充分的技术问题，本发明提供一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池。

本发明为了实现上述目的具体采用以下技术方案：

一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，包括n型硅衬底，n型硅衬底顶部从下到上依次设置有第一本征非晶硅层、氧化钼空穴选择层、第一透明导电氧化物层、第一电极层、第二透明导电氧化物层和第二电极层，n型硅衬底底部从上到下依次设置有第二本征非晶硅层、n型重掺非晶硅层、第三透明导电氧化物层、第三电极层、第四透明导电氧化物层和第四电极层，第一电极层包括若干截面为倒三角形的间隔布置的金属栅线A，第三电极层包括若干截面为三角形的间隔布置的金属栅线A，第二电极层和第四电极层均包括若干截面为矩形的间隔布置的金属栅线B，金属栅线B与金属栅线A的位置一一对应。

进一步地，第二透明导电氧化物层和第四透明导电氧化物层均包括掺钼氧化铟、掺钛氧化铟、掺钨氧化铟中的任一种。

进一步地，第二透明导电氧化物层和第四透明导电氧化物层的厚度均为50～200nm。

进一步地，第一透明导电氧化物层和第三透明导电氧化物层均包括掺锡氧化铟。

进一步地，第一透明导电氧化物层和第三透明导电氧化物层的厚度均为50～100nm。

进一步地，金属栅线A的宽为50～80um，高为10～30um，金属栅线B的宽为50～80um，高为10～50um。

进一步地，所有金属栅线A和金属栅线B的材质均为铜、铜合金、银、银合金中的任一种。