[发明专利]吹扫方法及结构、沉积工艺及进气系统在审
| 申请号： | 201910332447.1 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111863589A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张军;郑波;马振国;张少雷 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法 结构 沉积 工艺 系统 | ||
1.一种吹扫方法，用于化学气相沉积工艺中，其中基片承载在卡盘上；其特征在于，所述吹扫方法包括：
在进行所述化学气相沉积工艺过程中，向所述基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体。
2.根据权利要求1所述的吹扫方法，其特征在于，所述在进行所述化学气相沉积工艺过程中，向所述基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体的步骤，进一步包括：
第一吹扫阶段，向所述基片的边缘输送所述吹扫气体；
第二吹扫阶段，向所述基片的边缘输送吹扫气体与工艺气体的混合气体。
3.根据权利要求2所述的吹扫方法，其特征在于，在所述混合气体中，所述吹扫气体与工艺气体的流量比例的取值范围在10:1～100:1。
4.根据权利要求3所述的吹扫方法，其特征在于，所述工艺气体的流量的取值范围在1sccm～20sccm。
5.根据权利要求1或2所述的吹扫方法，其特征在于，所述吹扫气体包括惰性气体；所述工艺气体包括抑制反应的气体或者促进反应的气体。
6.一种工艺方法，其特征在于，包括：
向反应腔室中通入第一工艺气体，同时采用权利要求1-5任意一项所述的吹扫方法向基片的边缘输送吹扫气体和第二工艺气体。
7.根据权利要求6所述的工艺方法，其特征在于，所述第一工艺气体包括卤化物气体和碱性气体；所述第二工艺气体包括卤化物气体。
8.一种吹扫结构，用于向置于卡盘上的基片边缘输送气体，其特征在于，所述吹扫结构包括混合管路、第一进气管路、第二进气管路、第一气源和第二气源，其中，
所述混合管路的出气端设置在基片的边缘处，用于向基片的边缘提供吹扫气体和工艺气体；
所述第一进气管路的出气端和进气端分别与所述混合管路的进气端和所述第一气源连接；
所述第二进气管路的出气端和进气端分别与所述混合管路的进气端和所述第二气源连接；
所述第一气源用于提供所述吹扫气体；
所述第二气源用于提供所述工艺气体。
9.根据权利要求8所述的吹扫结构，其特征在于，在所述第一进气管路上设置有第一通断阀和第一流量控制阀；在所述第二进气管路上设置有第二通断阀和第二流量控制阀。
10.一种进气系统，包括进气结构和吹扫结构，所述进气结构用于向反应腔室内通入第一工艺气体；其特征在于，所述吹扫结构采用权利要求8-9中任一所述的吹扫结构，用于向基片的边缘输送吹扫气体和第二工艺气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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