[发明专利]吹扫方法及结构、沉积工艺及进气系统

说明书

本发明提供的吹扫方法及结构、沉积工艺及进气系统，用于化学气相沉积工艺中，其中基片承载在卡盘上，在进行化学气相沉积工艺的过程中，向基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体。由于向基片的边缘通入吹扫气体和工艺气体，其中的工艺气体与通入腔室中的工艺气体反应，促进基片边缘的反应的持续进行，以补充基片边缘的生成物，从而调节基片的边缘的均匀性。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种吹扫方法及结构、沉积工艺及进气系统。

背景技术

在集成电路(IC)制造工艺过程中，特别是化学气相沉积(CVD)工艺中，为了固定、支撑及传送晶片并实现温度控制，并避免在工艺过程中出现移动或错位现象，通常使用真空卡盘(Vacuum Chuck)。

图1为现有技术中真空卡盘的结构示意图。如图1所示，真空卡盘301用于承载基片401，腔室101与内衬102、真空卡盘301共同构成工艺环境。在进行工艺前，进气口204会通入Ar或N₂，使腔室内保持工艺压力，同时开启背吹管路，使工艺压力大于背吹压力，从而使基片401稳定在真空卡盘301上。为防止工艺过程中，生成物附着在基片401的侧面或背面，边缘吹扫管路303还需要通入Ar或N₂，以将生成物吹走。

但是，在上述真空卡盘的结构中，不可避免的会产生如下问题：

其一，边缘吹扫气体会影响基片边缘的气体均匀性；

其二，因为反应气体从四周抽离，无法实现对沉积区域的特殊要求，如在区域内不能沉积或刻蚀；

其三，若需要调节边缘均匀性，只能通过更换边缘吹扫组件或者运气结构实现，但边缘吹扫组件或者运气结构的研发周期长，耗时耗力。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种吹扫方法及结构、沉积工艺及进气系统，以解决现有技术中基片边缘的气体均匀性的问题。

作为本发明的一方面，本发明提供了一种吹扫方法，用于化学气相沉积工艺中，其中基片承载在卡盘上；其中，所述吹扫方法包括：

在进行所述化学气相沉积工艺过程中，向所述基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体。

进一步地，所述在进行所述化学气相沉积工艺过程中，向所述基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体的步骤，进一步包括：

第一吹扫阶段，向所述基片的边缘输送所述吹扫气体；

第二吹扫阶段，向所述基片的边缘输送吹扫气体与工艺气体的混合气体。

进一步地，在所述混合气体中，所述吹扫气体与工艺气体的流量比例的取值范围在10:1～100:1。

进一步地，所述工艺气体的流量的取值范围在1sccm～20sccm。

进一步地，所述吹扫气体包括惰性气体；所述工艺气体包括抑制反应的气体或者促进反应的气体。

作为本发明的另一方面，本发明提供了一种工艺方法，其包括：

向反应腔室中通入第一工艺气体，同时采用本发明提供的吹扫方法向基片的边缘输送吹扫气体和第二工艺气体。

进一步地，所述第一工艺气体包括卤化物气体和碱性气体；所述第二工艺气体包括卤化物气体。

作为本发明的再一方面，本发明提供了一种吹扫结构，用于向置于卡盘上的基片边缘输送气体，其中，所述吹扫结构包括混合管路、第一进气管路、第二进气管路、第一气源和第二气源，其中，

所述混合管路的出气端设置在基片的边缘处，用于向基片的边缘提供吹扫气体和工艺气体；