[发明专利]芯片制造方法和装置有效
| 申请号： | 201910332872.0 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110335928B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 胡弃疾;康建;杨天鹏;杨建国;卜浩礼 | 申请（专利权）人： | 江西圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;刘芳 |
| 地址： | 337000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 制造 方法 装置 | ||
1.一种芯片制造方法，其特征在于，包括：
对外延片进行第一处理，所述第一处理包括：蒸镀氧化铟锡ITO前清洗、蒸镀ITO透明导电层、ITO光刻、ITO透明导电层图形化、ITO图形化后去胶、干法刻蚀技术ICP光刻、ICP刻蚀露出N区、ICP刻蚀后去胶；
对第一处理后的外延片上的ITO薄膜进行等离子体清洗，获得清洗后的ITO薄膜；
对清洗后的ITO薄膜进行熔合处理，获得ITO合金；
根据获得ITO合金的外延片，制造芯片；
所述对第一处理后的ITO薄膜进行等离子体清洗，获得清洗后的ITO薄膜，包括：
利用第一等离子体清洗所述第一处理后的ITO薄膜，获得第一步清洗后的ITO薄膜；
利用第二等离子体清洗所述第一步清洗后的ITO薄膜，获得清洗后的ITO薄膜；
第一等离子体包括：氧气和四氟化碳；
所述氧气的流量为：5sccm-100sccm，所述四氟化碳的流量为：0sccm-240sccm；
第二等离子体包括：氩气；
所述氩气的流量为：15sccm-300sccm。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用第一等离子体清洗所述第一处理后的ITO薄膜，包括：
利用第一等离子体对所述第一处理后的ITO薄膜清洗50秒-600秒。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用第二等离子体清洗所述第一步清洗后的ITO薄膜，包括：利用第二等离子体对所述第一步清洗后的ITO薄膜清洗10秒-220秒。
4.一种芯片制造装置，其特征在于，包括：存储器和处理器，存储器用于存储程序指令，处理器用于调用存储器中的程序指令执行如权利要求1-3任一项所述的芯片制造方法。
5.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储有计算机程序；所述计算机程序被执行时，实现如权利要求1-3任一项所述的芯片制造方法。
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