[发明专利]芯片制造方法和装置

说明书

本发明实施例提供一种芯片制造方法和装置。本发明提供的芯片制造方法包括：对外延片进行第一处理；对第一处理后的外延片上的ITO薄膜进行等离子体清洗，获得清洗后的ITO薄膜；对清洗后的ITO薄膜进行熔合处理，获得ITO合金；根据获得ITO合金的外延片，制造芯片。实现了清除合成的ITO中杂质的目的，提高ITO结晶的质量。解决了因对含有杂质的ITO薄膜进行熔合而降低熔合后的ITO结晶的质量的问题以及芯片质量差的问题。

技术领域

本发明实施例涉及LED芯片制造技术领域，尤其涉及一种芯片制造方法和装置。

背景技术

氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜材料是一种重掺杂的N型半导体材料，具有较宽的能隙(E＝3.5～4.3eV)。作为纳米铟锡金属氧化物，ITO具有很好的导电性和透明性，通常喷涂在玻璃、塑料、电子显示屏及发光二极管(Light Emitting Diode，LED)芯片上，用作透明导电薄膜。其中，在LED芯片中，通过ITO薄膜的导电性进行电流扩展，同时，由于ITO膜具有良好的透明性，可以提高LED芯片的出光效率。因此，在LED芯片的制造过程中，ITO薄膜的制造是很重要的一个环节。

在制造LED芯片时，由于ITO熔合前，ITO薄膜表面形貌不规整，ITO颗粒分布比较松散，颗粒与颗粒之间孔洞和间隙较多，ITO颗粒的粒径较小且形状不一。因此，在制造LED芯片的过程中，要对ITO进行熔合，ITO熔合后，晶相择优生长，晶粒尺寸变大，细小的ITO颗粒发生团聚变成大颗粒，ITO薄膜的结晶度得到明显改善。晶界缺陷密度降低，晶界散射减少，电子迁移率随之增加，载流子浓度随之提高，薄膜电导率上升。

但是，由于ITO熔合前，ITO颗粒之间存在孔洞和间隙，在实际生产过程当中ITO熔合前LED芯片必须经过涂胶、去胶处理，但是，在ITO薄膜去胶后，ITO的表面会有纳米级的薄层残胶，ITO颗粒之间的孔洞和间隙中残胶会更多。并且，芯片在ITO成膜作业过程中及各车间的转移过程中难免会粘附有细小的灰尘等杂质，即使使用去离子水清洗后，也不可能将残留的灰尘、残胶等杂质百分之百地去除干净。在ITO熔合时，这些杂质将会包在ITO颗粒之间或与ITO熔合在一起，影响ITO结晶的质量，从而LED芯片的质量。

发明内容

本发明实施例提供一种芯片制造方法和装置，以去除制造芯片过程中的残胶，从而提高芯片的质量。

第一方面，本发明实施例提供一种芯片制造方法，包括：

对外延片进行第一处理，所述第一处理包括：蒸镀ITO前清洗、蒸镀ITO透明导电层、ITO光刻、ITO透明导电层图形化、ITO图形化后去胶、干法刻蚀技术(InductivelyCoupled Plasma，ICP)光刻、ICP刻蚀露出N区、ICP刻蚀后去胶；

对第一处理后的外延片上的ITO薄膜进行等离子体清洗，获得清洗后的ITO薄膜；

对清洗后的ITO薄膜进行熔合处理，获得ITO合金；

根据获得ITO合金的外延片，制造芯片。

在本发明第一方面的一些实施例中，所述对第一处理后的ITO薄膜进行等离子体清洗，获得清洗后的ITO薄膜，包括：

利用第一等离子体清洗所述第一处理后的ITO薄膜，获得第一步清洗后的ITO薄膜；

利用第二等离子体清洗所述第一步清洗后的ITO薄膜，获得清洗后的ITO薄膜。

在本发明第一方面的一些实施例中，第一等离子体包括：氧气和四氟化碳。

在本发明第一方面的一些实施例中，所述氧气的流量为：5sccm-100sccm，所述四氟化碳的流量为：0sccm-240sccm。

在本发明第一方面的一些实施例中，利用第一等离子体清洗所述第一处理后的ITO薄膜，包括：