[发明专利]微发光二极管芯片和显示装置有效
申请号: | 201910333086.2 | 申请日: | 2019-04-24 |
公开(公告)号: | CN109979959B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 卢元达;马俊杰;岂林霞;杨山伟;翟明;李金鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 显示装置 | ||
1.一种微发光二极管芯片,其特征在于,包括:
多个子芯片,多个所述子芯片并联设置,每个所述子芯片具有一个启亮电压,至少两个所述子芯片的所述启亮电压不同;
每个所述子芯片包括N型层和P型层,所述N型层的掺杂浓度与所述P型层的掺杂浓度的积为掺杂浓度积,至少两个所述子芯片的所述掺杂浓度积不同;
每个所述子芯片为环状结构,多个所述子芯片的中心位于同一位置,远离所述中心的所述子芯片套设在靠近所述中心的所述子芯片外;
远离中心的所述子芯片的启亮电压大于靠近中心的所述子芯片的启亮电压。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管芯片,其特征在于,
多个所述子芯片均匀排布。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管芯片,其特征在于,
多个所述子芯片一体成型。
4.根据权利要求3所述的微发光二极管芯片,其特征在于,
多个所述子芯片的启亮电压均不同。
5.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至4中任一项所述的微发光二极管芯片。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,
所述芯片为倒装或垂直或正装结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的