[发明专利]微发光二极管芯片和显示装置有效
申请号: | 201910333086.2 | 申请日: | 2019-04-24 |
公开(公告)号: | CN109979959B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 卢元达;马俊杰;岂林霞;杨山伟;翟明;李金鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 显示装置 | ||
本发明公开了一种微发光二极管芯片和显示装置,涉及芯片设计技术领域,主要目的是在通过电流控制微发光二极管芯片的灰阶的过程中,使得微发光二极管芯片波长稳定,能够实现灰阶的正常显示和切换。本发明的主要技术方案为:微发光二极管芯片,包括:多个子芯片,多个所述子芯片并联设置,每个所述子芯片具有一个启亮电压,至少两个所述子芯片的所述启亮电压不同。本申请提供的微发光二极管芯片,在通过电流控制微发光二极管芯片的灰阶的过程中,使得在不同的驱动电压驱动的情况下,逐步改变芯片的亮度,且能够保证微发光二极管芯片的电流密度不变,从而在逐步改变芯片亮度的同时,保证了波长的稳定性,达到较好地切换和显示灰阶的目的。
技术领域
本发明涉及芯片设计技术领域,尤其涉及一种微发光二极管芯片和显示装置。
背景技术
随着显示行业的发展,显示技术领域都致力于实现MicroLED及相对技术门槛较低的MiniLED显示上。
为了推进这个显示技术,除了转移和背板需要投入精力去突破,芯片端也需要进行改进,以实现显示画面对屏幕的灰阶的调节,MiniLED及MicroLED部分为了节约成本,选用的是主动的TFT驱动方式,需要通过电流直接控制芯片的灰阶,但是现有LED芯片由于量子阱生长和极化场的作用,在不同电流密度下波长值会发生偏移,会引起量子限制斯塔克效应,造成芯片波长不稳定,从而限制了灰阶的显示和切换。
因此如何使得芯片波长稳定,实现灰阶的正常显示和切换成为亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种微发光二极管芯片和显示装置,主要目的是使得在通过电流控制微发光二极管芯片的灰阶的过程中,使得微发光二极管芯片波长稳定,能够实现灰阶的正常显示和切换。
为达到上述目的,本发明主要提供如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供了一种微发光二极管芯片,包括:
多个子芯片,多个所述子芯片并联设置,每个所述子芯片具有一个启亮电压,至少两个所述子芯片的所述启亮电压不同。
在该技术方案中,每个所述子芯片包括N型层和P型层,所述N型层的掺杂浓度与所述P型层的掺杂浓度的积为掺杂浓度积,至少两个所述子芯片的所述掺杂浓度积不同。
在该技术方案中,多个所述子芯片均匀排布。
在该技术方案中,每个所述子芯片为环状结构,多个所述子芯片的中心位于同一位置,远离所述中心的子芯片套设在靠近所述中心的子芯片外。
在该技术方案中,多个所述子芯片一体成型。
在该技术方案中,多个所述子芯片的启亮电压均不同。
另一方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括多个如前所述的芯片。
在该技术方案中,所述芯片为倒装或垂直或正装结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的