[发明专利]气体供给管的清洁方法和处理系统

权利要求书

1.一种气体供给管的清洁方法，其特征在于，包括以下工序：

覆膜形成工序，在向气体供给管内供给含有第一化合物的第一气体和含有第二化合物的第二气体的状态下，将所述气体供给管的温度控制为使所述第一化合物与所述第二化合物聚合的第一温度，由此通过所述聚合在所述气体供给管的内壁形成化合物的覆膜；以及

去除工序，在利用经由形成有所述覆膜的所述气体供给管供给至处理腔室内的处理气体对所述腔室内的被处理体进行规定的处理之后，将所述气体供给管的温度控制为使所述覆膜解聚的第二温度，由此将所述覆膜去除，

其中，所述第一化合物为异氰酸酯，

所述第二化合物为胺或具有羟基的化合物。

2.根据权利要求1所述的气体供给管的清洁方法，其特征在于，

所述覆膜形成工序包括以下工序：

将所述气体供给管的温度控制为所述第二温度；

在所述气体供给管的两端的阀打开的状态下，向所述气体供给管内供给所述第一气体和所述第二气体；以及

在关闭所述气体供给管的两端的阀的状态下，将所述气体供给管控制为所述第一温度，由此在所述气体供给管的内壁形成所述化合物的覆膜。

3.根据权利要求2所述的气体供给管的清洁方法，其特征在于，

在利用经由形成有所述覆膜的所述气体供给管供给至所述处理腔室内的处理气体对所述处理腔室内的被处理体进行规定的处理的处理工序之前，将所述覆膜形成工序执行多次。

4.根据权利要求3所述的气体供给管的清洁方法，其特征在于，还包括以下工序：

测定工序，在所述处理工序之后测定所述气体供给管的容积；以及

判定工序，基于所述气体供给管的容积的变化来判定是否执行所述去除工序，

其中，在所述判定工序中判定为执行所述去除工序的情况下，执行所述去除工序。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的气体供给管的清洁方法，其特征在于，

在所述去除工序之后还进行所述覆膜形成工序。

6.一种处理系统，其特征在于，具备：

处理腔室；

气体供给管，其与所述处理腔室连接；

第一气体源，其向所述气体供给管供给含有第一化合物的第一气体；

第二气体源，其向所述气体供给管供给含有第二化合物的第二气体；

温度控制装置，其控制所述气体供给管的温度；以及

控制装置，

其中，所述控制装置执行以下工序：

覆膜形成工序，在向所述气体供给管内供给所述第一气体和所述第二气体的状态下，将所述气体供给管的温度控制为使所述第一化合物与所述第二化合物聚合的第一温度，由此通过所述聚合在所述气体供给管的内壁形成化合物的覆膜；以及

去除工序，在利用经由形成有所述覆膜的所述气体供给管供给至所述处理腔室内的处理气体对所述处理腔室内的被处理体进行规定的处理之后，将所述气体供给管的温度控制为使所述覆膜解聚的第二温度，由此将所述覆膜去除，

其中，所述第一化合物为异氰酸酯，

所述第二化合物为胺或具有羟基的化合物。