[发明专利]气体供给管的清洁方法和处理系统

说明书

本发明提供气体供给管的清洁方法和处理系统。气体供给管的清洁方法包括覆膜形成工序和去除工序。在覆膜形成工序中，向气体供给管内供给含有第一化合物的第一气体和含有第二化合物的第二气体，将气体供给管的温度控制为第一温度，由此通过第一化合物与第二化合物的聚合在气体供给管的内壁形成化合物的覆膜。第一温度为使第一化合物与第二化合物聚合的温度。在去除工序中，在利用经由形成有覆膜的气体供给管供给至处理腔室内的处理气体在腔室内对被处理体进行处理之后，将气体供给管的温度控制为使覆膜解聚的第二温度，来将覆膜去除。第一化合物为异氰酸酯，第二化合物为胺或具有羟基的化合物。

技术领域

本公开的各种方面和实施方式涉及气体供给管的清洁方法和处理系统。

背景技术

在半导体装置等的制造中，使用处理气体对半导体晶圆(以下记载为晶圆)进行蚀刻、成膜等处理。处理气体的流量对处理后的晶圆的特性有很大的影响，因此对控制处理气体的流量的流量控制器要求高精度。因此，定期地对流量控制器进行校正。例如使用用于向处理腔室供给处理气体的气体供给管的容积来校正流量控制器。

另外，在蚀刻、成膜等处理中有时使用含卤气体等腐蚀性高的气体。在该情况下，有时气体供给管的内壁会被处理气体损伤。已知一种利用针对含卤处理气体具有耐性的材料来对气体供给管的内壁进行涂覆以防发生上述情况的技术(例如参照下述的专利文献1)。

专利文献1：日本专利第5855644号公报

发明内容

发明要解决的问题

另外，根据处理气体的种类，有时处理气体会与存在于气体供给管内的水分、残留气体发生反应，使得在气体供给管内生成固体。例如，当在气体供给管内存在NH₃气体和Cl₂气体时，有时在气体供给管内生成NH₄Cl。在与气体供给管连接的流量控制器、阀等的内部中也生成这样的固体。当在气体供给管等生成固体时，有时流量控制器对处理气体的流量的控制量产生误差。

例如，在利用以气体供给管的容积为基准的积层法对流量控制器进行校正的情况下，有时由于气体供给管的容积发生变化使得流量的控制量产生偏差。另外，在基于节流孔的前后的压力差来控制流量的流量控制器中，有时由于生成的固体使得节流孔的开口变窄，流量的控制量产生偏差。另外，在热式流量控制器中，有时由于附着在配管内的固体使得配管的热分布发生变化，因此流量的控制量产生偏差。

另外，在气体供给管内生成的固体沉积，最终成为微粒并在气体供给管内流动，附着于阀等设备，有时招致设备的误动作。另外，在气体供给管内流动的微粒有时侵入处理腔室内，附着于晶圆而成为导致不良的原因。

用于解决问题的方案

本公开的一个方面是一种气体供给管的清洁方法，包括覆膜形成工序和去除工序。在覆膜形成工序中，在向气体供给管内供给有含有第一化合物的第一气体和含有第二化合物的第二气体的状态下，将气体供给管的温度控制为第一温度，由此通过第一化合物与第二化合物的聚合在气体供给管的内壁形成化合物的覆膜。第一温度为使第一化合物与第二化合物聚合的温度。在去除工序中，在利用经由形成有覆膜的气体供给管供给至处理腔室内的处理气体对腔室内的被处理体进行规定的处理之后，将气体供给管的温度控制为使覆膜解聚的第二温度，由此将覆膜去除。另外，第一化合物为异氰酸酯，第二化合物为胺或具有羟基的化合物。

发明的效果

根据本公开的各种方面和实施方式，能够抑制与气体供给管连接的流量控制器的精度下降，并且能够防止被处理体被微粒污染。

附图说明

图1是表示本公开的一个实施方式中的处理系统的一例的系统结构图。