[发明专利]电解铜箔的制备方法

说明书

本发明提供了一种电解铜箔的制备方法，包括以下步骤:S1，硫酸铜电解液配置：将纯度为99.95％及以上的高纯铜线在硫酸溶液中加热溶解生成硫酸铜电解液；S2，生箔制造；在所述硫酸铜电解液加入添加剂，并输送至生箔机的电解槽中进行电解生箔,其中；电解生箔的工艺参数为：电解液的温度控制在50～60℃，生箔过程中阳极板的电流密度为38～45A/dm²，Cu²⁺浓度为90～95g/L，H₂SO₄浓度为100～110g/L，明胶浓度100‑300ppm，硫酸高铈的浓度为0.5～10ppm，MESS的浓度为1～20ppm，SPS的浓度为10～50ppm，Cl^‑浓度的为10～30ppm；S3，防氧化处理：将电解所得的铜箔进行防氧化处理；S4，产品分切：经防氧化处理后的铜箔，进行裁剪分切并包装。

技术领域

本发明涉及一种电解铜箔的制备方法。

背景技术

目前，铜箔是电子工业不可缺少的重要基础材料，尤其随着新能源产业的进一步升级，6μm及以下电解铜箔有着更广阔的市场前景，同时对6μm及以下电解铜箔的质量要求也越来越高。因此亟待开发研究生产6μm及以下高硬度电解铜箔的方法。

发明内容

本发明提供了一种电解铜箔的制备方法，可以有效解决上述问题。

本发明是这样实现的：

一种电解铜箔的制备方法，包括以下步骤:

S1，硫酸铜电解液配置：将纯度为99.95％及以上的高纯铜线在硫酸溶液中加热溶解生成硫酸铜电解液；

S2，生箔制造；在所述硫酸铜电解液加入添加剂，并输送至生箔机的电解槽中进行电解生箔,其中；电解生箔的工艺参数为：电解液的温度控制在50～60℃，生箔过程中阳极板的电流密度为38～45A/dm²，Cu²⁺浓度为90～95g/L，H₂SO₄浓度为100～110g/L，明胶浓度100-300ppm，硫酸高铈的浓度为0.5～10ppm，MESS的浓度为1～20ppm，SPS的浓度为10～50ppm，Cl^-浓度的为10～30ppm；

S3，防氧化处理：将电解所得的铜箔进行防氧化处理；

S4，产品分切：经防氧化处理后的铜箔，进行裁剪分切并包装。

作为进一步改进的，Cu²⁺浓度为92～95g/L，H₂SO₄浓度为105～108g/L，电解液的温度控制在55～60℃。

作为进一步改进的，明胶浓度150-250ppm，硫酸高铈的浓度为2～5ppm，MESS的浓度为10～15ppm。

作为进一步改进的，SPS的浓度为20～30ppm，Cl^-浓度的为25～30ppm。

作为进一步改进的，在步骤S3中，所述将电解所得的铜箔进行防氧化处理的步骤包括：

S31，将电解所得的铜箔在CrO3+T(三氧化铬+葡萄糖)溶液中钝化，其中，钝化参数为：PH控制在3-3.5，温度控制在20-40℃，钝化电流控制在1-3A/dm²。

作为进一步改进的，在步骤S31中，钝化参数为：温度控制在25-30℃，钝化电流控制在2A/dm²。