[发明专利]一种垂直集成单元二极管芯片

权利要求书

1.一种垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，包括：

第一导电类型电极，第二导电类型电极及位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构，二极管台面结构包括n个二极管单元，其中，n≥2；台面结构面积根据电流扩散长度确定；

所述二极管台面结构还包括第一导电类型焊盘、第二导电类型焊盘，其中第一导电类型焊盘与第二导电类型焊盘在台面结构同一侧，第一导电类型电极与第一导电类型焊盘连接，第二导电类型电极与第二导电类型焊盘连接；

所述二极管台面结构包括沟槽结构，所述沟槽结构位于二极管单元之间；二极管单元侧壁上的沟槽截面形状为三角形或梯形；

所述二极管台面结构包括绝缘介质层，第一导电类型层，第二导电类型层，及位于所述第一导电类型层上的量子阱有源区；

所述第二导电类型层与及第二导电类型电极欧姆接触；

所述沟槽结构的深度至第二导电类型层或量子阱有源区或第一导电类型层；

所述第一导电类型焊盘从台面结构第一边设置且与台面结构等宽；

所述第二导电类型焊盘从台面结构第二边设置且与台面结构等宽。

2.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第一导电类型焊盘个数大于或等于1。

3.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第一导电类型焊盘形状为：半圆形，圆形，矩形，三角形。

4.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第一导电类型焊盘厚度为0.001微米～20微米；所述第一导电类型焊盘宽度为：10微米～100微米。

5.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第一导电类型焊盘宽度为10微米~100微米，长度为10微米-10000微米。

6.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第二导电类型焊盘形状为：半圆形，圆形，矩形，三角形。

7.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第二导电类型焊盘个数大于或等于1。

8.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第二导电类型焊盘宽度为10微米~100微米，长度为10微米-10000微米。

9.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第二导电类型焊盘厚度为0.001微米～20微米；所述第二导电类型焊盘宽度为：10微米～100微米。

10.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第二导电类型电极与第二导电类型焊盘由线条型电极线连接。

11.一种如权利要求10所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述线条型电极线宽度为0.001微米～20微米，所述线条型电极线厚度为0.001微米～10微米。

12.一种如权利要求10-11之一所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述线条型电极线布局方式为部分或全部设计采用非直线布局。

13.一种如权利要求12所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述非直线布局包括折线布局，曲线布局。

14.一种如权利要求13所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述线条型电极线采用线条形金属和/或氧化铟锡材料；所述线条形金属材料为铝、银、钛、镍、金、铂、铬，或以上任意两种以上的金属的合金。

15.一种如权利要求14所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构包括孔结构。