[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板有效
申请号: | 201910337921.X | 申请日: | 2019-04-25 |
公开(公告)号: | CN110109306B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 聂晓辉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板,通过使栅极扫描线和遮光导电层电性连接,以使栅极扫描线的宽度相对于传统技术基本不变以保证显示面板的开口率的同时,用于传输扫描电信号的导线的阻抗减小,从而使得显示面板的驱动功耗减小,提高像素充放电的相应速度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。
背景技术
低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly Silicon Thin FilmTransistor,LTPS-TFT)具有制备温度低、载流子迁移率高以及器件尺寸小等突出优点,是发展低功耗以及高集成度显示面板的关键技术。基于矩阵显示逐行扫描的原理,当逐行扫描的栅极扫描线电压低于TFT的阈值电压时,TFT的导电沟道处于截断状态,此时像素电路处于关态;当逐行扫描的栅极扫描线电压高于TFT阈值电压时,TFT导电沟道处于导通状态,由源极接入的信息电压将加载到像素(漏极)电容和存储电容上,像素电路处于开态;扫描完成后像素行TFT全部关闭,已经写入的信息电压保持不变,直到下一帧扫描到时再重新写入信息。栅极扫描线金属阻抗决定了驱动电路的功耗大小和像素充放电响应速度。在实际生产过程中,为保证液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)的开口率,栅极扫描线金属线宽一般设计较小,导致金属阻抗较大,LCD驱动功耗的显著增加。
因此,有必要提出一种技术方案以解决扫描金属线的阻抗较大导致LCD的驱动功耗增加的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板,该阵列基板的栅极扫描线和遮光导电层电性连接,使得阵列基板具有高开口率的同时,显示面板工作时驱动功耗减小。
为实现上述目的,技术方案如下:
一种阵列基板,所述阵列基板包括:
一衬底;
形成于所述衬底上的遮光导电层;
覆盖所述衬底和所述遮光导电层的缓冲层;
形成于所述缓冲层上的沟道层;
覆盖所述缓冲层和所述沟道层的第一绝缘层;
形成于所述第一绝缘层上且位于所述遮光导电层正上方的多条栅极扫描线;
其中,所述栅极扫描线和所述遮光导电层电性连接。
在上述阵列基板中,所述遮光导电层包括多条遮光导电线,每条所述遮光导电线与每条所述栅极扫描线一对一地通过贯穿所述缓冲层和所述第一绝缘层的至少两个过孔电性连接。
在上述阵列基板中,每条所述栅极扫描线在所述衬底上的正投影和对应与所述栅极扫描线电性连接的每条所述遮光导电线在所述衬底上的正投影重合。
在上述阵列基板中,所述过孔沿第一方向的尺寸大于所述栅极扫描线的宽度,所述第一方向为垂直于所述栅极扫描线的方向。
在上述阵列基板中,所述沟道层包括多个阵列排布的叉指半导体构件,每个所述叉指半导体构件相对的两侧均分别设置有至少一所述过孔。
一种阵列基板的制造方法,所述制造方法包括如下步骤:
提供一衬底;
于所述衬底上形成遮光导电层;
形成覆盖所述衬底和所述遮光导电层的缓冲层;
于所述缓冲层上形成沟道层;
形成覆盖所述缓冲层和所述沟道层的第一绝缘层;
于所述第一绝缘层上形成多个栅极扫描线,多条所述栅极扫描线位于所述遮光导电层的正上方;
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