[发明专利]存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器结构，其特征在于，包含：

基板；

栅极，位于所述基板上；

第一绝缘层，位于所述栅极上；

薄金属层，位于所述第一绝缘层上，具有多个金属颗粒；

多个氧化铟镓锌颗粒，位于所述多个金属颗粒上；

第二绝缘层，位于所述多个氧化铟镓锌颗粒上；

氧化铟镓锌通道层，位于所述第二绝缘层上；以及

源极/漏极，位于所述氧化铟镓锌通道层上。

2.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述薄金属层的厚度在1nm至20nm的范围中。

3.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，每个所述氧化铟镓锌颗粒的厚度在2nm至20nm的范围中。

4.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述薄金属层的材料包含银。

5.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述多个氧化铟镓锌颗粒接触所述薄金属层。

6.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述薄金属层接触所述第一绝缘层。

7.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述多个氧化铟镓锌颗粒位于所述薄金属层与所述第二绝缘层之间。

8.一种存储器结构的制造方法，其特征在于，包含：

在栅极上的第一绝缘层上形成薄金属层；

对所述薄金属层施以热退火处理，使所述薄金属层具有多个金属颗粒；

在所述多个金属颗粒上形成氧化铟镓锌材料，使所述氧化铟镓锌材料形成多个氧化铟镓锌颗粒；

在所述多个氧化铟镓锌颗粒上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成氧化铟镓锌通道层；以及

在所述氧化铟镓锌通道层上形成源极/漏极。

9.如权利要求8所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，在所述第一绝缘层上形成所述薄金属层是以热蒸镀的方式执行。

10.如权利要求8所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，对所述薄金属层施以所述热退火处理的温度在50℃至300℃的范围中。

11.如权利要求8所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，在所述多个金属颗粒上形成所述氧化铟镓锌材料是以溅镀的方式执行。

12.如权利要求8所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述薄金属层的厚度在1nm至20nm的范围中。

13.如权利要求8所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，每个所述氧化铟镓锌颗粒的厚度在2nm至20nm的范围中。

14.如权利要求9所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述薄金属层的材料包含银。