[发明专利]存储器结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种存储器结构及其制造方法，存储器结构包含基板、栅极、第一绝缘层、薄金属层、多个氧化铟镓锌(IGZO)颗粒、第二绝缘层、IGZO通道层与源极/漏极。栅极位于基板上。第一绝缘层位于栅极上。薄金属层位于第一绝缘层上，且具有多个金属颗粒。IGZO颗粒位于金属颗粒上。第二绝缘层位于IGZO颗粒上。IGZO通道层位于第二绝缘层上。源极/漏极位于IGZO通道层上。IGZO颗粒可作为储存由穿隧效应进入的载子(电子)的媒介，能减少存储器结构的侧向漏电，确保存储器结构能够长期正常操作，避免数据的遗漏。

技术领域

本发明是有关于一种存储器结构与一种存储器结构的制造方法。

背景技术

现今，举凡手机、笔记本电脑、平板电脑、随身碟、及数码相机等电子产品，已算是生活中不可或缺的必需品。其中，电子产品内的存储器扮演一个相当重要的角色。存储器可分为挥发性(Volatile)存储器及非易失性(Non-volatile)存储器两种。

挥发性存储器意指存储器内的储存数据会随着外部供应电源的移除而消失，如静态随机存取存储器、动态随机存取存储器。非挥发存储器意指存储器内的储存数据不会随着外部供应电源的移除消失，且可长时间地被储存，如只读存储器、可编程只读存储器、可抹除可编程只读存储器、可用电抹除可编程只读存储器及快闪存储器。

非易失性存储器为了让载子的信息能够长期的储存，减少元件的侧向漏电(Lateral leakage)为重要的课题，才能够确保元件能够长期正常操作，且避免信息的遗漏。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种存储器结构，其能减少存储器结构的侧向漏电，确保存储器结构能够长期正常操作，避免数据的遗漏。

根据本发明一实施方式，一种存储器结构包含基板、栅极、第一绝缘层、薄金属层、多个氧化铟镓锌(IGZO)颗粒、第二绝缘层、IGZO通道层与源极/漏极。栅极位于基板上。第一绝缘层位于栅极上。薄金属层位于第一绝缘层上，且具有多个金属颗粒。IGZO颗粒位于金属颗粒上。第二绝缘层位于IGZO颗粒上。IGZO通道层位于第二绝缘层上。源极/漏极位于IGZO通道层上。

在本发明一实施方式中，上述薄金属层的厚度在1nm至20nm的范围中。

在本发明一实施方式中，上述每个IGZO颗粒的厚度在2nm至20nm的范围中。

在本发明一实施方式中，上述薄金属层的材料包含银。

在本发明一实施方式中，上述IGZO颗粒接触薄金属层。

在本发明一实施方式中，上述薄金属层接触第一绝缘层。

在本发明一实施方式中，上述IGZO颗粒位于薄金属层与第二绝缘层之间。

本发明的另一目的在于提供一种存储器结构的制造方法。

根据本发明一实施方式，一种存储器结构的制造方法包含在栅极上的第一绝缘层上形成薄金属层；对薄金属层施以热退火处理，使薄金属层具有多个金属颗粒；在金属颗粒上形成氧化铟镓锌(IGZO)材料，使IGZO材料形成多个IGZO颗粒；在IGZO颗粒上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成IGZO通道层；以及在IGZO通道层上形成源极/漏极。

在本发明一实施方式中，上述在第一绝缘层上形成薄金属层是以热蒸镀的方式执行。

在本发明一实施方式中，上述对薄金属层施以热退火处理的温度在50℃至300℃的范围中。

在本发明一实施方式中，上述在金属颗粒上形成IGZO材料是以溅镀的方式执行。

在本发明一实施方式中，上述薄金属层的厚度在1nm至20nm的范围中。

在本发明一实施方式中，上述每个IGZO颗粒的厚度在2nm至20nm的范围中。