[发明专利]垂直结构条形Micro-LED的制备方法及转印方法

权利要求书

1.垂直结构条形Micro-LED的制备方法，其特征是：该方法由以下步骤实现：

步骤一、提供外延片和透明导电基底；所述外延片包括生长衬底和外延层，所述外延层的第二表面位于生长衬底的表面；

步骤二、将所述外延层的第一表面与透明导电基底键合，制作出公共电极N电极；

步骤三、采用低能激光剥离外延片的生长衬底，在所述外延层的第二表面上制作金属层，并对所述金属层进行刻蚀，获得多个P电极；

步骤四、在所述外延层的第二表面刻蚀隔离沟槽，并对所述隔离沟槽进行填充，制作出多个垂直结构的Micro-LED芯片；

步骤五、沿行方向或列方向对所述多个垂直结构的Micro-LED芯片外围进行包围刻蚀，获得垂直结构的条形Micro-LED芯片。

2.根据权利要求1所述的垂直结构条形Micro-LED的制备方法，其特征在于：步骤三中，所述激光剥离采用固态激光器，并通过调节所述固态激光器输出，使激光能量≤0.2J/cm²。

3.根据权利要求1所述的垂直结构条形Micro-LED的制备方法，其特征在于：步骤四中，隔离沟槽的深度与外延层的厚度相同。

4.根据权利要求1所述的垂直结构条形Micro-LED的制备方法，其特征在于：采用干法刻蚀或湿法腐蚀制备出每个Micro-LED的P电极，采用湿法腐蚀或ICP干法刻蚀隔离沟槽。

所述隔离沟槽的填充使用具有绝缘性质的PI、环氧树脂或PDMS。

5.根据权利要求1所述的垂直结构条形Micro-LED的制备方法，其特征在于：采用ICP干法刻蚀，沿所需制备的Micro-LED芯片外围进行包围刻蚀，刻蚀时外延层和透明导电基底均完全被刻蚀贯穿，形成所需的条形Micro-LED芯片。

6.根据权利要求1所述的垂直结构条形Micro-LED的制备方法，其特征在于：所述透明导电基底用为FTO玻璃、ITO玻璃或其它具有导电透明的基底。

7.根据权利要求1-6任一项所述的垂直结构条形Micro-LED的制备方法得到的垂直结构的条形Micro-LED芯片。

8.根据权利要求7所述的垂直结构条形Micro-LED的转印方法，其特征是：该方法由以下步骤实现：

步骤A、选择粘合剂、临时载体和目标基板；在所述条形Micro-LED芯片的透明导电基底上填涂粘合剂，并将所述临时载体和粘合剂粘接；

步骤B、在所述条形Micro-LED芯片中每个Micro-LED芯片的P电极上表面填涂焊料，通过焊料将所述条形Micro-LED芯片的P电极和目标基板上的电极结构对齐实现电气互联；

步骤C、去除所述临时载体和粘合剂，完成垂直结构条形Micro-LED芯片的转印。

9.根据权利要求8所述的垂直结构条形Micro-LED的转印方法，其特征在于：所述目标基板表面电极结构的尺寸与所述条形Micro-LED芯片的P电极尺寸相同；

所述目标基板具有CMOS驱动电路，所述电极结构为每个CMOS驱动电路的接口，用于为Micro-LED芯片提供电流，实现驱动Micro-LED芯片的功能；

所述电极结构之间的间距与所述的条形Micro-LED芯片的P电极的间距相同；

所述目标基板的材料为硅基材料或碳基材料。

10.根据权利要求8所述的垂直结构条形Micro-LED的转印方法，其特征在于：所述去除临时载体采用激光剥离、干法腐蚀或湿法腐蚀实现，所述去除粘合剂通过干法刻蚀或湿法腐蚀实现；

所述粘合剂为SU-8胶、苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚苯并恶唑树脂或硅酮胶；

所述焊料是导电银胶或导电锡膏。