[发明专利]垂直结构条形Micro-LED的制备方法及转印方法

说明书

垂直结构条形Micro‑LED的制备方法及转印方法，涉及显示器制备技术领域，解决现有要求机械手能够长时间连续稳定工作，存在难以精确对准、产品效率低下且成本高昂等问题。该方法将外延片的外延层和提供的透明导电基底键合，去除外延片的生长衬底，随后将透明导电基底作为公共N电极，并在外延层上单独电镀并刻蚀出每个Micro‑LED的P电极，利用干法刻蚀或湿法腐蚀形成隔离沟槽，并填充隔离沟槽后利用ICP刻蚀制作出条形Micro‑LED芯片，完成垂直结构条形Micro‑LED的制作。制作出条形Micro‑LED后，利用提供的临时载体将制作的条形Micro‑LED转印到具有电极结构的目标基板上，再去除临时载体，完成条形Micro‑LED的转印。本发明方法转印效果更好、更易于实现规模生产。

技术领域

本发明涉及显示器制备技术领域，具体涉及一种垂直结构条形Micro-LED的制备方法及转印方法。

背景技术

Micro-LED为Micro-Light Emitting Diode的缩写，中文名为“微型发光二极管”，是指尺寸小于100μm的LED，由Micro-LED组成的高密度显示器件具有高亮度、高对比度和高分辨率等优点，已经成为显示领域的焦点之一。

垂直结构的Micro-LED是指Micro-LED的P电极、N电极不在同一侧，而分别位于外延材料的两侧的一种Micro-LED。相比传统正装结构，垂直结构Micro-LED散热好、发光强度高且具备更小的体积，更适用于制作高密度显示器件。

按照现有技术，在制作全彩色LED显示器件中，需要将红、绿、蓝(RGB)三原色的LED晶粒拾起并分别放到接收基板对应的电极上，通过引线、焊接等方式实现LED晶粒和接收基板的电气连接，形成全彩色LED显示器件，这个拾起和放下的过程称为LED的转印。这种对每个LED拾起和放下的转印方法由于Micro-LED的尺寸微小且涉及巨量的Micro-LED精确转移，所需时间长，实施难度大，良品率极低，成为限制Micro-LED显示器件的关键因素。

综上所述，现有需要逐个Micro-LED的转印，需要机械手实现精准对位，且必须要求机械手能够长时间连续稳定工作，这对机械手的制作提出了很高的要求，当前阶段制作成本较高、难度较大。同时存在效率低下且难以准确对准等问题。

发明内容

本发明为解决现有要求机械手能够长时间连续稳定工作，存在难以精确对准、产品效率低下且成本高昂等问题。提供一种垂直结构条形Micro-LED的制备方法及转印方法。

垂直结构条形Micro-LED的制备方法，该方法由以下步骤实现：

步骤一、提供外延片和透明导电基底；所述外延片包括生长衬底1和外延层，所述外延层的第二表面位于生长衬底的表面；

步骤二、将所述外延层的第一表面与透明导电基底键合，制作出公共电极N电极；

步骤三、采用低能激光剥离外延片的生长衬底，在所述外延层的第二表面上制作金属层，并对所述金属层进行刻蚀，获得多个P电极；

步骤四、在所述外延层的第二表面刻蚀隔离沟槽，并对所述隔离沟槽进行填充，制作出多个垂直结构的Micro-LED芯片；

步骤五、沿行方向或列方向对所述多个垂直结构的Micro-LED芯片外围进行包围刻蚀，获得垂直结构的条形Micro-LED芯片。

采用所述垂直结构条形Micro-LED的制备方法获得的垂直结构的条形Micro-LED芯片。

垂直结构条形Micro-LED的制备方法，该方法由以下步骤实现：

步骤A、选择粘合剂、临时载体和目标基板；在所述条形Micro-LED芯片的透明导电基底上填涂粘合剂，并将所述临时载体和粘合剂粘接；