[发明专利]晶圆花篮的取放片装置及取放片方法在审
申请号: | 201910342560.8 | 申请日: | 2019-04-26 |
公开(公告)号: | CN109994412A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 王鹤龙;陆嘉鑫;王国杰 | 申请(专利权)人: | 苏州长瑞光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人: | 杨楠 |
地址: | 215024 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 取放 定位槽 卡槽 花篮 片装置 等间隔设置 开口 种晶 平行 两端开口 上端 放入 竖直 下端 相等 破损 取出 承载 贯通 | ||
1.一种晶圆花篮的取放片装置,所述晶圆花篮包括平行且等间隔设置的一组用于竖直承载晶圆的卡槽,所述卡槽的上端设置有用于取出和放入晶圆的第一开口,所述卡槽的下端设置有晶圆不能通过的第二开口;其特征在于,所述取放片装置包括本体,所述本体包括平行且等间隔设置的一组与所述卡槽一一对应的定位槽,定位槽之间的间隔与卡槽之间的间隔相等,每个定位槽的两端均设置有可容晶圆通过的开口且定位槽两端开口之间设置有相互贯通的通道,定位槽的宽度大于卡槽的宽度。
2.如权利要求1所述取放片装置,其特征在于,所述本体被设置为:当晶圆花篮与所述本体水平放置于同一平面上且定位槽和卡槽均平行于水平面时,各定位槽的底部与其所对应卡槽的底部之间存在一个固定高度差,所述固定高度差的取值范围为0.1mm~1.0mm。
3.如权利要求2所述取放片装置,其特征在于,该取放片装置还包括厚度为所述固定高度差2倍的垫片。
4.如权利要求2所述取放片装置,其特征在于,所述固定高度差的取值范围为0.4mm~0.6mm。
5.如权利要求1所述取放片装置,其特征在于,该取放片装置还包括推杆,用于沿所述通道将晶圆从定位槽的一端开口向另一端开口推送。
6.如权利要求1~5任一项所述取放片装置,其特征在于,该取放片装置的材料为防静电材料。
7.一种晶圆花篮的取放片方法,其特征在于,其放片过程具体如下:
步骤1、将晶圆花篮与如权利要求1~6任一项所述取放片装置的本体水平放置于同一平面上且定位槽和卡槽均平行于水平面;
步骤2、令晶圆花篮各卡槽的第一开口与所述本体上相应定位槽的一端开口贴近并正对,并使得各定位槽的底部比其所对应卡槽的底部高出0.1mm~1.0mm;
步骤3、经由所述本体上定位槽的另一端开口将晶圆放入定位槽中,并沿所述通道将晶圆向定位槽与晶圆花篮卡槽贴近并正对的一端开口推送,直至晶圆主体进入晶圆花篮的卡槽中;
步骤4、取走所述本体,将晶圆花篮竖起,完成放片;
其取片过程具体如下:
步骤1、将晶圆花篮与如权利要求1~6任一项所述取放片装置的本体水平放置于同一平面上且定位槽和卡槽均平行于水平面;
步骤2、令晶圆花篮各卡槽的第一开口与所述本体上相应定位槽的一端开口贴近并正对,并使得各卡槽的底部比其所对应定位槽的底部高出0.1mm~1.0mm;
步骤3、从晶圆花篮的第二开口将晶圆向第一开口方向推送直至晶圆主体进入所述本体的定位槽中;
步骤4、从定位槽中取出晶圆。
8.如权利要求7所述取放片方法,其特征在于,放片过程的步骤2中,使得各定位槽的底部比其所对应卡槽的底部高出0.4mm~0.6mm。
9.如权利要求7所述取放片方法,其特征在于,放片过程的步骤2中,使得各卡槽的底部比其所对应定位槽的底部高出0.4mm~0.6mm。
10.如权利要求7所述取放片方法,其特征在于,所述放置晶圆花篮和取放片装置本体的平面为大理石平台。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造