[发明专利]晶圆花篮的取放片装置及取放片方法在审
申请号: | 201910342560.8 | 申请日: | 2019-04-26 |
公开(公告)号: | CN109994412A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 王鹤龙;陆嘉鑫;王国杰 | 申请(专利权)人: | 苏州长瑞光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人: | 杨楠 |
地址: | 215024 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 取放 定位槽 卡槽 花篮 片装置 等间隔设置 开口 种晶 平行 两端开口 上端 放入 竖直 下端 相等 破损 取出 承载 贯通 | ||
本发明公开了一种晶圆花篮的取放片装置。所述晶圆花篮包括平行且等间隔设置的一组用于竖直承载晶圆的卡槽,所述卡槽的上端设置有用于取出和放入晶圆的第一开口,所述卡槽的下端设置有晶圆不能通过的第二开口;所述取放片装置包括本体,所述本体包括平行且等间隔设置的一组与所述卡槽一一对应的定位槽,定位槽之间的间隔与卡槽之间的间隔相等,每个定位槽的两端均设置有可容晶圆通过的开口且定位槽两端开口之间设置有相互贯通的通道,定位槽的宽度大于卡槽的宽度。本发明还公开了一种晶圆花篮的取放片方法。本发明可有效降低取放片操作的难度以及晶圆破损的可能性,且结构简单,实现成本低廉。
技术领域
本发明涉及一种晶圆花篮的取放片装置及取放片方法,属于半导体制造技术领域。
背景技术
在现代半导体制造技术中,晶圆片的清洗是贯穿工艺制造流程中必不可少的关键步骤,如果晶圆片表面的洁净度质量达不到要求,无论其它工艺步骤控制的多优秀,也不可能获得高质量的半导体器件。清洗是指将晶圆先放入清洗花篮(简称为放片),然后将花篮放入清洗液内浸泡,去除晶圆表面脏污。清洗完之后再将晶圆从花篮内取出(简称为取片)。
清洗用晶圆花篮的通常包括平行且等间隔设置的一组用于竖直承载晶圆的卡槽,所述卡槽的上端设置有用于取出和放入晶圆的第一开口,所述卡槽的下端设置有晶圆不能通过的第二开口。当前所采用的放片和取片操作方式是用镊子夹住晶圆边缘,直接放入花篮和从花篮中取出。由于晶圆(尤其是薄晶圆)具有易碎的特点,此种取放片方式存在如下缺陷:由于标准晶圆清洗花篮的卡槽通常设计的较窄,人为操作取、放片时手易抖动、位置把握不准等因素,晶圆容易和卡槽周边发生碰撞、挤压,造成晶圆破碎。如果在设计时增大花篮卡槽宽度的话,运输和清洗操作过程中晶圆在卡槽内容易大幅度晃动,产生较大的冲击力,同样会造成晶圆破碎。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服现有取放片方式所存在的难以操作且容易导致晶圆破碎的不足,提供一种晶圆花篮的取放片装置,可有效降低取放片操作的难度以及晶圆破损的可能性,且结构简单,实现成本低廉。
一种晶圆花篮的取放片装置,所述晶圆花篮包括平行且等间隔设置的一组用于竖直承载晶圆的卡槽,所述卡槽的上端设置有用于取出和放入晶圆的第一开口,所述卡槽的下端设置有晶圆不能通过的第二开口;所述取放片装置包括本体,所述本体包括平行且等间隔设置的一组与所述卡槽一一对应的定位槽,定位槽之间的间隔与卡槽之间的间隔相等,每个定位槽的两端均设置有可容晶圆通过的开口且定位槽两端开口之间设置有相互贯通的通道,定位槽的宽度大于卡槽的宽度。
优选地,所述本体被设置为:当晶圆花篮与所述本体水平放置于同一平面上且定位槽和卡槽均平行于水平面时,各定位槽的底部与其所对应卡槽的底部之间存在一个固定高度差,所述固定高度差的取值范围为0.1mm~1.0mm。
进一步地,该取放片装置还包括厚度为所述固定高度差2倍的垫片。
进一步地,所述固定高度差的取值范围为0.4mm~0.6mm。
进一步地,该取放片装置还包括推杆,用于沿所述通道将晶圆从定位槽的一端开口向另一端开口推送。
优选地,该取放片装置的材料为防静电材料。
基于以上取放片装置还可以得到以下技术方案:
一种晶圆花篮的取放片方法,其放片过程具体如下:
步骤1、将晶圆花篮与如上任一技术方案所述取放片装置的本体水平放置于同一平面上且定位槽和卡槽均平行于水平面;
步骤2、令晶圆花篮各卡槽的第一开口与所述本体上相应定位槽的一端开口贴近并正对,并使得各定位槽的底部比其所对应卡槽的底部高出0.1mm~1.0mm;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造