[发明专利]一种楸树组培苗的瓶外生根方法在审

专利信息
申请号: 201910343993.5 申请日: 2019-04-26
公开(公告)号: CN109892228A 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 冒文娟 申请(专利权)人: 上海杉一植物科技有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;A01G31/00;A01G24/28;A01G24/15;A01G2/10
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 冯子玲
地址: 201801 上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 生根 组培苗 楸树 生根材料 伤口愈合 须根 主根 生根成活率 根系活力 切口感染 营养钵苗 营养促进 切口处 病菌 长根 基质 扦插 新根 新叶 培育 愈合 自然环境 抚育 树苗 吸收
【权利要求书】:

1.一种楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于它包括以下步骤:

1)生根材料的挑选:挑选植株高度为2~4cm、继代周期为25~35天、叶色浓绿的楸树组培苗,切除基部叶片、腋芽,顶部留3~5片完全展开的叶片,获得生根材料A;

2)生根材料伤口愈合:将生根材料A的切口部位涂覆植物伤口愈合剂,之后接入培养基M中培养3~5天,获得生根材料B;

3)组培苗扦插生根:将生根材料B的切口部涂覆营养液N,于基质Ⅰ中进行扦插生根,培养7~14天,制得生根苗C;其中,所述楸树扦插生根用基质Ⅰ包括层状铺设的珍珠岩、草炭和蛭石;

4)营养钵苗抚育:将生根苗C移栽至装有基质Ⅱ的营养钵中,培养20-28天得楸树生根苗D;其中,所述基质Ⅱ为双层基质,其中上层基质为体积比1~2:1的蛭石:珍珠岩,下层基质为体积比1~3:1~2:1的草炭:蛭石:珍珠岩。

2.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤2)中的培养基M为:30-60目蛭石和去离子水在121℃下灭菌10min后制得,其中30-60目蛭石:去离子水的体积比为=1:1。

3.根据权利要求2所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述植物伤口愈合剂为杀菌剂和辅助剂的混合物,且植物伤口愈合剂的使用浓度为杀菌剂加去离子水稀释800-1500倍的浓度。

4.根据权利要求3所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述杀菌剂为多菌灵或高锰酸钾中的一种,所述辅助剂为草木灰或石灰粉的一种。

5.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤2)中的培养条件为:培养温度24~28℃,光照强度3000~5000Lux,光照时长10~14h/天。

6.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤3)中的营养液N为质量/体积比为1.5~4:1的滑石粉:萘乙酸,其中萘乙酸的浓度为0.3~1.0mg/L。

7.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤3)中的培养条件为:空气温度22~28℃,土壤温度为24~30℃,空气湿度≥80%,光照条件为5000~7000Lux。

8.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤3)中基质Ⅰ包括3~5cm厚的珍珠岩,1~3cm厚的草炭和1~3cm厚的蛭石。

9.根据权利要求8所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤3)中基质Ⅰ中下层为珍珠岩,中间层为草炭,上层为蛭石。

10.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤4)中的培养条件为:空气温度为22~28℃;土壤温度为24~30℃;移栽后前7天空气湿度≥80%,后逐渐至自然湿度;移栽后前7天光照强度≤10000Lux,后渐至自然光照。

11.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤4)中的基质Ⅱ上层基质与下层基质的体积比为1:2。

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