[发明专利]处理液供给装置和处理液供给方法在审
申请号: | 201910344158.3 | 申请日: | 2019-04-26 |
公开(公告)号: | CN110416119A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 大久保敬弘;榎木田卓;古庄智伸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理液 液处理装置 送出 处理液供给装置 抗蚀液 送出部 抗蚀剂涂布装置 处理液供给 贮存 处理液供给源 涂布抗蚀液 供给装置 补充 晶圆 质量管理 共享 吸引 | ||
1.一种处理液供给装置,向用于对基板涂布处理液来进行规定的处理的液处理装置供给所述处理液,所述处理液供给装置的特征在于,
作为所述处理液的供给目的地的所述液处理装置为多个,
所述处理液供给装置具有由多个所述液处理装置共享的送出部,该送出部将用于贮存所述处理液的处理液供给源中所贮存的所述处理液送出至多个所述液处理装置的各个液处理装置,
其中,所述送出部具有多个泵,所述多个泵吸引所述处理液来补充所述处理液,并且送出补充来的处理液,所述送出部始终处于能够从所述多个泵中的至少一个向多个所述液处理装置送出所述处理液的状态。
2.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,
还具有至少控制所述送出部的控制部,
所述控制部控制所述多个泵各自的吸引定时,以使得始终处于能够从所述多个泵中的某一个向多个所述液处理装置送出所述处理液的状态。
3.根据权利要求2所述的处理液供给装置,其特征在于,
具有从所述送出部分支至多个所述液处理装置的各个液处理装置的多个分支管,
在所述多个分支管的各个分支管设置有测量该分支管内的压力的压力测量部以及调整该分支管内的压力的压力调整阀,
所述控制部针对所述多个分支管的各个分支管控制所述压力调整阀,以使由所述压力测量部得到的测量结果成为目标压力。
4.根据权利要求3所述的处理液供给装置,其特征在于,
在所述多个分支管的各个分支管设置有测量在该分支管内流动的所述处理液的流量的流量测量部,
所述多个分支管的各个分支管的所述压力调整阀的所述目标压力是以下压力:在从与该多个分支管对应的所述液处理装置的处理液涂布部喷出所述处理液时,使由所述流量测量部得到的测量结果为规定的流量。
5.根据权利要求3或4所述的处理液供给装置,其特征在于,
多个所述液处理装置层叠,
所述控制部控制从所述多个泵的各个泵供给所述处理液的供给压力,以使在从多个所述液处理装置的全部的液处理装置的处理液涂布部同时喷出所述处理液时,由与最上层的所述液处理装置对应的所述压力测量部得到的测量结果为所述目标压力。
6.一种处理液供给方法,使用处理液供给装置,所述处理液供给装置向用于对基板涂布处理液来进行规定的处理的液处理装置供给所述处理液,
作为所述处理液的供给目的地的所述液处理装置为多个,
所述处理液供给装置具有:由多个所述液处理装置共享的送出部,该送出部将用于贮存所述处理液的处理液供给源中所贮存的所述处理液送出至多个所述液处理装置的各个液处理装置,
该送出部具有多个泵,所述多个泵吸引所述处理液来补充所述处理液,并且送出补充来的处理液,
该处理液供给方法的特征在于,具有以下工序:
从所述多个泵的一部分泵向多个所述液处理装置的全部或一部分液处理装置供给所述处理液;以及
在处于所述多个泵的一部分泵能够向多个所述液处理装置送出处理液的状态时,向所述多个泵所包括的其它所述泵补充处理液。
7.根据权利要求6所述的处理液供给方法,其特征在于,
所述处理液供给装置具有从所述送出部分支至多个所述液处理装置的各个液处理装置的多个分支管,
在所述多个分支管的各个分支管设置有测量该分支管内的压力的压力测量部以及调整该分支管内的压力的压力调整阀,
该处理液供给方法还具有以下工序:
对于所述多个分支管的各个分支管,调整所述压力调整阀的开度,以使由所述压力测量部得到的测量结果为目标压力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造