[发明专利]处理液供给装置和处理液供给方法在审
申请号: | 201910344158.3 | 申请日: | 2019-04-26 |
公开(公告)号: | CN110416119A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 大久保敬弘;榎木田卓;古庄智伸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理液 液处理装置 送出 处理液供给装置 抗蚀液 送出部 抗蚀剂涂布装置 处理液供给 贮存 处理液供给源 涂布抗蚀液 供给装置 补充 晶圆 质量管理 共享 吸引 | ||
本发明提供一种使质量管理变得容易的处理液供给装置和处理液供给方法。一种向用于对晶圆涂布抗蚀液来进行规定的处理的抗蚀剂涂布装置供给抗蚀液的抗蚀液供给装置,作为抗蚀液的供给目的地的抗蚀剂涂布装置为多个,所述处理液供给装置具有由多个所述液处理装置共享的送出部,该送出部将用于贮存所述处理液的处理液供给源中所贮存的所述处理液送出至多个所述液处理装置的各个液处理装置,其中,所述送出部具有多个泵,所述多个泵吸引所述处理液来补充所述处理液,并且送出补充来的处理液,所述送出部始终处于能够从所述多个泵中的至少一个向多个所述液处理装置送出所述处理液的状态。
技术领域
本发明涉及一种处理液供给装置和处理液供给方法。
背景技术
例如在半导体器件的制造工序中的光刻工序中,依次进行例如在作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”。)表面上涂布抗蚀液来形成抗蚀膜的抗蚀剂涂布处理、以规定的图案对抗蚀膜进行曝光的曝光处理、将曝光后的抗蚀膜显影的显影处理等一系列的处理,从而在晶圆上形成规定的抗蚀图案。这一系列的处理由涂布显影处理系统来进行,涂布显影处理系统是搭载有用于对晶圆进行处理的各种处理装置、用于搬送晶圆的搬送机构等的基板处理系统。另外,在涂布显影处理系统中,作为上述处理装置,设置有向晶圆涂布用于光刻工序中的抗蚀液、显影液等之类的处理液来进行液处理的液处理装置。
并且,在涂布显影处理系统中设置有向液处理装置供给处理液的处理液供给装置。该处理液供给装置例如具有贮存处理液的处理液供给源、暂时贮存来自该处理液供给源的处理液的中间罐、用于将该中间罐中所贮存的处理液经由处理液供给管供给至上述液处理装置的涂布喷嘴的泵。另外,在处理液供给装置中,在处理液供给管设置有从处理液中去除异物(微粒)的过滤器(参照专利文献1)。
并且,在专利文献1中,在涂布显影处理系统中,设置有多个同种类的液处理装置,例如设置有多个向晶圆涂布抗蚀液来形成抗蚀膜的抗蚀剂涂布装置。像这样,在设置有多个同种类的液处理装置的涂布显影处理系统中,自以往以来,针对每个液处理装置独立地设置有处理液供给装置。
专利文献1:日本特开2013-211525号公报
发明内容
另外,在设置有多个同种类的液处理装置的涂布显影处理系统中,如前述的那样,在针对每个液处理装置独立地设置处理液供给装置的情况下,处理液供给装置的状态按每个液处理装置而不同。具体地说,处理液供给装置的泵、过滤器的状态在液处理装置间不同。像这样,当处理液供给装置的泵、过滤器的状态在液处理装置间不同时,从处理液供给装置供给且从液处理装置的涂布喷嘴喷出至晶圆的处理液内的微粒的量、使用该处理液进行液处理后的晶圆内的缺陷的量在液处理装置间产生差异。其结果是,制造作为产品的半导体芯片时的质量管理变得复杂。
专利文献1没有考虑到如上述那样的液处理装置间的处理液供给装置的状态差异。因而,以往的处理液供给装置具有改善的余地。
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种容易进行质量管理的处理液供给装置和处理液供给方法。
解决上述课题的本发明是一种处理液供给装置,向用于对基板涂布处理液来进行规定的处理的液处理装置供给所述处理液,所述处理液供给装置的特征在于,作为所述处理液的供给目的地的所述液处理装置为多个,所述处理液供给装置具有由多个所述液处理装置共享的送出部,该送出部将用于贮存所述处理液的处理液供给源中所贮存的所述处理液送出至多个所述液处理装置的各个液处理装置,其中,所述送出部具有多个泵,所述多个泵吸引所述处理液来补充所述处理液,并且送出补充来的处理液,所述送出部始终处于能够从所述多个泵中的至少一个向多个所述液处理装置送出所述处理液的状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造