[发明专利]半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光装置，包括：

发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；

透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；以及

反射电极结构，其位于所述透明电极层上，所述反射电极结构包括：

透光绝缘层，其位于所述透明电极层上且包括多个绝缘图案，所述多个绝缘图案的侧面的一部分是敞开的，并且所述透明电极层的接触区由所述多个绝缘图案之间的区限定；

多个气隙，其分别位于所述透明电极层和所述多个绝缘图案之间，所述多个气隙在所述多个绝缘图案的侧面的敞开部分中延伸；以及

反射电极层，其位于所述多个绝缘图案上以覆盖所述多个绝缘图案的侧面的敞开部分，所述反射电极层连接至所述透明电极层的接触区。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述多个绝缘图案中的每一个的敞开部分在一个方向上彼此面对。

3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述多个气隙中的每一个气隙具有实质上的六面体结构，所述六面体结构的上表面和两个第一相对侧面被所述透光绝缘层覆盖，并且所述六面体结构的除了所述两个第一相对侧面之外的两个第二相对侧面被所述反射电极层覆盖。

4.根据权利要求3所述的半导体发光装置，其中，所述透明电极层的接触区具有在所述多个绝缘图案之间延伸并以多行和多列排列的线性形状。

5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述气隙的厚度在所述透光绝缘层的厚度的50％至130％的范围内。

6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透明电极层包括氧化铟锡(ITO)、掺锌氧化铟锡(ZITO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化镓铟(GIO)、氧化锌锡(ZTO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、In₄Sn₃O₁₂和氧化锌镁Zn_(1-x)Mg_xO中的至少一种，其中0≤x≤1。

7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透光绝缘层包括NaF、Na₃AlF₆、LiF、MgF₂、CaF₂和BaF₂中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述反射电极层包括银(Ag)、铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)、铝(Al)、铑(Rh)、钌(Ru)、钯(Pd)、金(Au)，铜(Cu)及其组合中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括：

第一绝缘层，其位于所述反射电极层上，并且具有连接至所述反射电极层的至少一个开口；以及

连接电极，其位于所述第一绝缘层上，并且通过所述至少一个开口连接至所述反射电极层。

10.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括：粘合电极层，其位于所述透光绝缘层和所述反射电极层之间。

11.根据权利要求10所述的半导体发光装置，其中，所述粘合电极层包括ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO、In₄Sn₃O₁₂和Zn_(1-x)Mg_xO中的至少一种，其中0≤x≤1。