[发明专利]半导体发光装置

说明书

一种半导体发光装置包括：发光结构，其具有第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；以及反射电极结构，其位于所述透明电极层上。所述反射电极结构包括：透光绝缘层，其位于所述透明电极层上且具有绝缘图案，所述绝缘图案的侧面的一部分是敞开的，并且所述透明电极层的接触区由所述绝缘图案之间的区限定；气隙，其位于所述透明电极层和所述绝缘图案之间，所述气隙在所述绝缘图案的侧面的敞开部分中延伸；以及反射电极层，其位于所述绝缘图案上以覆盖所述绝缘图案的敞开部分，所述反射电极层连接至所述透明电极层的接触区。

相关申请的交叉引用

2018年4月27日在韩国知识产权局提交的题为“半导体发光装置”的韩国专利申请No.10-2018-0048855的全部内容通过引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及半导体发光装置。

背景技术

与根据相关技术的光源相比，半导体发光装置被认为是具有许多正面特征的下一代光源，这些正面特征例如为较长的寿命、低功耗、快速的响应速率、环境友好特性等。半导体发光装置已被用作诸如照明装置、显示装置的背光单元等的各种产品中的重要光源。

发明内容

根据示例实施例，一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；以及反射电极结构，其位于所述透明电极层上，所述反射电极结构包括：透光绝缘层，其位于所述透明电极层上且包括多个绝缘图案，所述多个绝缘图案的侧面的一部分是敞开的，并且所述透明电极层的接触区由所述多个绝缘图案之间的区限定；多个气隙，其分别位于所述透明电极层和所述多个绝缘图案之间，所述多个气隙在所述多个绝缘图案的侧面的敞开部分中延伸；以及反射电极层，其位于所述多个绝缘图案上以覆盖所述多个绝缘图案的侧面的敞开部分，所述反射电极层连接至所述透明电极层的接触区。

根据示例实施例，一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；透光绝缘层，其位于所述透明电极层上且包括多个绝缘图案，在所述透明电极层和所述多个绝缘图案之间分别限定多个气隙，并且通过所述多个绝缘图案之间的区限定所述透明电极层的接触区；反射电极层，其位于所述透明电极层上以覆盖所述多个绝缘图案，并连接至所述透明电极层的接触区；第一绝缘层，其位于所述反射电极层上，并且具有连接至所述反射电极层的至少一个开口；以及连接电极，其位于所述第一绝缘层上，并通过所述至少一个开口连接至所述反射电极层。

根据示例实施例，一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；基底绝缘层和透光绝缘层，其依次设置在所述透明电极层上，并且具有连接至所述透明电极层的多个开口；以及反射电极层，其位于所述透光绝缘层上，并且通过所述多个开口连接至所述透明电极层，其中，所述基底绝缘层与所述多个开口的间隔比所述透光绝缘层与所述多个开口的间隔更远，使得在所述透光绝缘层和所述透明电极层之间限定气隙。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，各个特征对于本领域技术人员而言将变得明显，其中：

图1示出了根据示例实施例的半导体发光装置的截面图；

图2示出了与图1的部分“A”相对应的区的俯视图；

图3示出了与图2的部分“B”相对应的区的示意性立体图；

图4示出了沿着图2中的线I-I'截取的截面图；

图5示出了沿着图2中的线II-II'截取的截面图；

图6示出了沿着图2中的线III-III'截取的截面图；