[发明专利]射线影像传感器有效
| 申请号： | 201910347280.6 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110047860B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 贺行政;张文君;庞昕 | 申请（专利权）人： | 锐芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射线 影像 传感器 | ||
1.一种射线影像传感器，其特征在于，包括：
晶体层，所述晶体层接收射线并将所述射线转化为可转化光子；
位于真空腔内的光电转化层，所述光电转化层接收所述可转化光子并对所述可转化光子进行光电转化产生光电子；
位于真空腔内的图像传感器，所述图像传感器与所述光电转化层间隔预设距离相对设置，所述图像传感器和所述光电转化层之间具有直流电场，所述直流电场对所述光电子进行加速，所述图像传感器采集经加速的光电子以获得影像。
2.如权利要求1所述的射线影像传感器，其特征在于，还包括：具有开口的壳体；
所述晶体层位于所述壳体的开口位置；
所述晶体层和所述壳体围成所述真空腔。
3.如权利要求2所述的射线影像传感器，其特征在于，所述光电转化层位于所述晶体层朝向所述真空腔腔内的表面上。
4.如权利要求1所述的射线影像传感器，其特征在于，还包括：具有开口的壳体和位于所述壳体的开口位置的窗口层；
所述窗口层和所述壳体围成所述真空腔；
所述晶体层位于所述窗口层背向所述真空腔腔内的一侧。
5.如权利要求4所述的射线影像传感器，其特征在于，所述光电转化层位于所述窗口层朝向所述真空腔腔内的表面上。
6.如权利要求4所述的射线影像传感器，其特征在于，所述晶体层位于所述窗口层背向所述真空腔腔内的表面上。
7.如权利要求4所述的射线影像传感器，其特征在于，所述窗口层的材料为透明材料。
8.如权利要求2或4所述的射线影像传感器，其特征在于，还包括：位于所述开口位置的密封圈。
9.如权利要求1所述的射线影像传感器，其特征在于，所述图像传感器为背照式图像传感器。
10.如权利要求1所述的射线影像传感器，其特征在于，所述光电转化层的厚度在50nm到500nm范围内。
11.如权利要求1所述的射线影像传感器，其特征在于，所述光电转化层的材料包括：光电阴极材料。
12.如权利要求1所述的射线影像传感器，其特征在于，所述图像传感器和所述光电转化层之间的电压大于等于500V。
13.如权利要求1所述的射线影像传感器，其特征在于，所述图像传感器和所述光电转化层之间的预设距离小于等于5mm。
14.如权利要求1所述的射线影像传感器，其特征在于，所述图像传感器和所述光电转化层之间直流电场的强度大于等于103V/cm。
15.如权利要求1所述的射线影像传感器，其特征在于，所述真空腔的气压小于或等于10-3Pa。
16.如权利要求1所述的射线影像传感器，其特征在于，所述射线包括：X射线、γ射线、α射线或β射线中的至少一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
