[发明专利]射线影像传感器

说明书

一种射线影像传感器，包括：晶体层，所述晶体层接收射线并将所述射线转化为可转化光子；位于真空腔内的光电转化层，所述光电转化层接收所述可转化光子并对所述可转化光子进行光电转化产生光电子；位于真空腔内的图像传感器，所述图像传感器与所述光电转化层间隔预设距离相对设置，所述图像传感器和所述光电转化层之间具有直流电场，所述直流电场对所述光电子进行加速，所述图像传感器采集经加速的光电子以获得影像。本发明技术方案能够有效提高射线影像传感器的灵敏度，在获取相同影像质量的前提下，可有效降低射线辐射强度，降低射线辐射危害。

技术领域

本发明涉及光电领域，特别涉及一种射线影像传感器。

背景技术

随着技术进步，各种射线的影像的应用越来越广泛，例如广泛用于医学检测、安全检测、物质分析等各领域。在各种射线影像采集过程中，射线辐射必不可少，鉴于射线所固有的危险性及危害性，希望尽量降低射线辐射强度。有效降低射线辐射强度的方法之一就是尽可能提高射线影像传感器的灵敏度。

但是现有技术中的射线影像传感器的灵敏度有限，因此无法有效降低辐射强度、控制辐射危害。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种射线影像传感器，以提高射线影像传感器的灵敏度，从而达到降低射线辐射强度、控制射线辐射危害的目的。

为解决上述问题，本发明提供一种射线影像传感器，包括：

晶体层，所述晶体层接收射线并将所述射线转化为可转化光子；位于真空腔内的光电转化层，所述光电转化层接收所述可转化光子并对所述可转化光子进行光电转化产生光电子；位于真空腔内的图像传感器，所述图像传感器与所述光电转化层间隔预设距离相对设置，所述图像传感器和所述光电转化层之间具有直流电场，所述直流电场对所述光电子进行加速，所述图像传感器采集经加速的光电子以获得影像。

可选的，还包括：具有开口的壳体；所述晶体层位于所述壳体的开口位置；所述晶体层和所述壳体围成所述真空腔。

可选的，所述光电转化层位于所述晶体层朝向所述真空腔腔内的表面上。

可选的，还包括：具有开口的壳体和位于所述壳体的开口位置的窗口层；所述窗口层和所述壳体围成所述真空腔；所述晶体层位于所述窗口层背向所述真空腔腔内的一侧。

可选的，所述光电转化层位于所述窗口层朝向所述真空腔腔内的表面上。

可选的，所述晶体层位于所述窗口层背向所述真空腔腔内的表面上。

可选的，所述窗口层的材料为透明材料。

可选的，还包括：位于所述开口位置的密封圈。

可选的，所述图像传感器为背照式图像传感器。

可选的，所述光电转化层的厚度在50nm到500nm范围内。

可选的，所述光电转化层的材料包括：光电阴极材料。

可选的，所述图像传感器和所述光电转化层之间的电压大于等于500V。

可选的，所述图像传感器和所述光电转化层之间的预设距离小于等于5mm。

可选的，所述图像传感器和所述光电转化层之间直流电场的强度大于等于10³V/cm。

可选的，所述真空腔的气压小于或等于10^-3Pa。

可选的，所述射线包括：X射线、γ射线、α射线或β射线中的至少一种。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：