[发明专利]一种填充虚拟图案的方法在审
申请号: | 201910347352.7 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110110418A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 曹云 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 虚拟图案 填充 单元格 填充区 虚拟 存储空间 | ||
本发明提供一种填充虚拟图案的方法,包括以下步骤:提供一待填充虚拟图案的版图;将所述待填充虚拟图案的版图虚拟划分为多个单元格待填充区;以及根据GDS文件对所述单元格待填充区填充虚拟图案。本发明通过将待填充虚拟图案的版图虚拟划分为多个单元格待填充区,使得将所述单元格待填充区需要填充的虚拟图案针对性的填充到其中,从而在填充虚拟图案之后,产生的GDS文件所占的存储空间较小。另外,在每个所述GDS文件中,具有与其对应的所述单元格待填充区需要填充的所有虚拟图案,使得每个GDS文件可以对至少一个单元格待填充区填充所有的虚拟图案。
技术领域
本发明涉及集成电路工艺,特别是涉及一种填充虚拟图案的方法。
背景技术
在集成电路工艺中,因晶片中图案密度的不同,会发生图案效应(patterneffect),即为众所周知的微负荷效应(micro-loading effect)。微负荷效应是有关同时于较高密度图案与较低密度图案上进行曝光、蚀刻、和/或抛光时所发生的现象。由于薄膜上不同位置间在曝光/蚀刻/抛光速率上的差异,由曝光/蚀刻/抛光所产生的反应量会变得局部密集或稀疏,并且在曝光后造成蚀刻/抛光速率或图案尺寸上的不均匀。有效图案的密度差异过大可能造成显著且不良的效应,例如图案尺寸误差及厚度变异等。
为了抵消此效应,发展了一种称为虚拟填充(dummy insertion)的布局设计,在虚拟填充期间,调整电路布局并将虚拟图案填充到具有低图案密度的位置。虚拟图案的填充有助于在晶片上达到均匀的有效图案密度(effect pattern density),因而避免了图案效应问题的发生。
通常,在完成集成电路的设计后,会发生图形数据系统文件(graphic datasystem,GDS),其为包括集成电路布局的二进制文件(binary file)。可使用一程序来填充虚拟图案。在填充虚拟图案后,可通过图形数据系统制备掩模。而传统的虚拟图案填充的方法中,GDS文件所占存储空间较大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种填充虚拟图案的方法,以减少GDS文件所占的存储空间。
为了解决上述问题,本发明提供了一种填充虚拟图案的方法,包括以下步骤:
提供一待填充虚拟图案的版图;
将所述待填充虚拟图案的版图虚拟划分为多个单元格待填充区;以及
根据GDS文件对所述单元格待填充区填充虚拟图案。
可选的,在每个所述GDS文件中,具有与其对应的所述单元格待填充区需要填充的所有虚拟图案。
进一步的,所述单元格待填充区需要填充的虚拟图案包括有源区虚拟图案、多晶虚拟图案、第一金属虚拟图案、第二金属虚拟图案,第n金属虚拟图案;
其中,n≥1,且n为正整数。
进一步的,根据GDS文件对所述单元格待填充区填充虚拟图案包括:
建立GDS文件数据库,所述GDS文件包括虚拟图案的组合数为2n+2-1种;
根据每个所述单元格待填充区需要填充虚拟图案,从所述GDS文件数据库中将包括需要填充的虚拟图案的组合提取出来;以及
根据提取出来的所述组合对所述单元格待填充区填充虚拟图案。
可选的,将所述待填充虚拟图案的版图虚拟划分为面积相同的多个单元格待填充区。
进一步的,对每个所述单元格待填充区再虚拟划分为多个子单元格待填充区。
进一步的,在每个所述子单元格待填充区的面积相同,且至少部分所述子单元格待填充区需要填充的所有虚拟图案相同。
进一步的,相邻的所述单元格待填充区之间存在间隙。
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