[发明专利]半导体发光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910348405.7 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110010738A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 吴永胜;李培双;刘德意 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;陈明鑫 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体发光元件 电极 第二型半导体层 第一型半导体层 活性层 电气连接 电极孔 绝缘膜 发光结构 发光区域 依次层叠 指型 制造 贯通 配置 | ||
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：
一发光结构，包括从下方起依次层叠的第一型半导体层、活性层、第二型半导体层，具有贯通所述活性层和所述第二型半导体层而露出所述第一型半导体层的电极孔；
一通过所述电极孔而与所述第一型半导体层电气连接的第一型电极；
一与所述第二型半导体层电气连接的第二型电极；及
一在所述电极孔的侧壁和所述第二半导体层上设置的第一绝缘膜，使得所述第一型电极与所述活性层及所述第二半导体层绝缘。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二型电极具有从与所述第二型半导体层的连接地点向所述第一型电极侧延长的2个以上的第二指形部。
3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第一型电极具有延长到所述2个以上的第二指形部之间的一个以上的第一指形部。
4.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，还包括第二绝缘膜，其具有与所述2个以上的第二指形部相匹配的形状，并设置于所述第二半导体层上，并开设有供所述第二型电极与第二型半导体层连接的连接孔。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第一绝缘膜具有与所述一个以上的第一指形部相匹配的形状。
6.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、在基板上依次层叠第一型半导体层、活性层及第二型半导体层；
步骤S2、蚀刻所述第二型半导体层及所述活性层，形成露出所述第一型半导体层的电极孔；
步骤S3、在包括电极孔的第二型半导体层的整个上表面形成绝缘层后进行图案化，形成第一绝缘膜和第二绝缘膜，其中，第一绝缘膜覆盖电极孔的侧壁并在底面露出第一型半导体层，第二绝缘膜具有露出第二型半导体层的连接孔；
步骤S4、在所述第二型半导体层上形成露出所述连接孔、所述电极孔及所述第一绝缘膜的透明电极层；
步骤S5、形成通过所述电极孔而与所述第一型半导体层连接的第一型电极、通过所述连接孔而与所述第二型半导体层连接的第二型电极。
7.根据权利要求6所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于：还包括一步骤S6，即在除第一型电极和第二型电极的焊盘之外的全体面上形成钝化层。
8.根据权利要求6所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于：所述第二型电极具有从与所述第二型半导体层的连接地点向所述第一型电极侧延长的2个以上的第二指形部。
9.根据权利要求8所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于：所述第一型电极具有延长到所述2个以上的第二指形部之间的一个以上的第一指形部。
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