[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体发光元件及其制造方法。所述半导体发光元件，包括：发光结构，其包括从下方起依次层叠的第一型半导体层、活性层、第二型半导体层，具有贯通所述活性层和所述第二型半导体层而露出所述第一型半导体层的电极孔；第二型电极，其与所述第二型半导体层电气连接；第一型电极，其通过所述电极孔而与所述第一型半导体层电气连接；第一型及第二型电极为指型电极，为了切断电流从第一型电极和第二型电极流入活性层而在其下方配置有第一绝缘膜和第二绝缘膜。本发明的半导体发光元件结构，能够扩大半导体发光元件的发光区域。

技术领域

本发明涉及涉及发光二极管领域，更详细而言，涉及发光区域扩大的半导体发光元件，具体为一种半导体发光元件及其制造方法。

背景技术

发光二极管的基本模型包括介于n-型载流子层与p-型载流子层之间的活性区域。在活性区域具有厚度且2个载流子层的组成不同时，在活性区域形成单一或多重的量子阱结构。如果施加偏压，则n-型载流子层和p-型载流子层分别向活性区域运输n-型载流子和p-型载流子，在活性区域中，n-型载流子与p-型载流子复合并发光。

最近，以3族氮化物半导体为基础的发光二极管可以表现出与自然光类似的发色，因而在诸如LCD背光或手机等的多样电子制品中大量利用。

原有的普通半导体发光元件为了形成位于下方的n-型载流子层所需的电极，形成去除位于相应部位上的p-型载流子层和活性层而使n-型载流子层露出的台阶结构。这种台阶结构为了在n-型载流子层上直接形成电极而较大地去除p-型载流子层和活性层，因而具有发光区域相应地缩小的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件结构，能够扩大半导体发光元件的发光区域。

为实现上述目的，本发明的技术方案是：一种半导体发光元件，包括：

一发光结构，包括从下方起依次层叠的第一型半导体层、活性层、第二型半导体层，具有贯通所述活性层和所述第二型半导体层而露出所述第一型半导体层的电极孔；

一通过所述电极孔而与所述第一型半导体层电气连接的第一型电极；

一与所述第二型半导体层电气连接的第二型电极；及

一在所述电极孔的侧壁和所述第二半导体层上设置的第一绝缘膜，使得所述第一型电极与所述活性层及所述第二半导体层绝缘。

在本发明一实施例中，所述第二型电极具有从与所述第二型半导体层的连接地点向所述第一型电极侧延长的2个以上的第二指形部。

在本发明一实施例中，所述第一型电极具有延长到所述2个以上的第二指形部之间的一个以上的第一指形部。

在本发明一实施例中，还包括第二绝缘膜，其具有与所述2个以上的第二指形部相匹配的形状，并设置于所述第二半导体层上，并开设有供所述第二型电极与第二型半导体层连接的连接孔。

在本发明一实施例中，所述第一绝缘膜具有与所述一个以上的第一指形部相匹配的形状。

本发明还提供了一种半导体发光元件的制造方法，包括如下步骤：

步骤S1、在基板上依次层叠第一型半导体层、活性层及第二型半导体层；

步骤S2、蚀刻所述第二型半导体层及所述活性层，形成露出所述第一型半导体层的电极孔；

步骤S3、在包括电极孔的第二型半导体层的整个上表面形成绝缘层后进行图案化，形成第一绝缘膜和第二绝缘膜，其中，第一绝缘膜覆盖电极孔的侧壁并在底面露出第一型半导体层，第二绝缘膜具有露出第二型半导体层的连接孔；

步骤S4、在所述第二型半导体层上形成露出所述连接孔、所述电极孔及所述第一绝缘膜的透明电极层；