[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，该发光元件包含：

基板结构，包含基底部，其具有表面以及多个凸出部位于该基底部之上，该多个凸出部以二维阵列方式排列于该基底部的该表面上；

缓冲层，其覆盖于该多个凸出部及该表面上，其中，该缓冲层包含氮化铝材料；以及

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层，位于该缓冲层上；

其中，该多个凸出部各包含第一部分以及位于该第一部分上的第二部分，且该第一部分一体成形于该基底部；以及该发光元件具有一(102)面的X-射线绕射(XRD)的半高宽数值，该半高宽数值小于250arcsec；

该凸出部的材料不同于该缓冲层；以及

该第一部分的高度占该凸出部的高度的1％至30％，即含1％和30％。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中在该基板结构的一剖视图中，该多个凸出部其中之一与该基底部的该表面间形成一夹角，该夹角小于65度。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二部分包含第一材料，该第一部分与该基底部包含相同的第二材料，该第一材料与该第二材料不同。

4.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一材料的折射率比该第二材料的折射率小。

5.如权利要求1所述的发光元件，其中该多个凸出部其中之一具有一高度及一底部宽度，该高度与该底部宽度的比值大于0且不大于0.5，及/或该多个凸出部各具有一不大于1.5μm的高度。

6.如权利要求1所述的发光元件，其中在一剖视图中，该多个凸出部具有一周期，其介于1μm到3μm之间。

7.如权利要求3所述的发光元件，其中该第二材料包含蓝宝石，以及该表面包含该蓝宝石的C平面。

8.一种发光元件的制法，包含以下步骤：

提供基底部，其中该基底部具有一表面；

实施图案化步骤，该图案化步骤包含形成前驱层在该基底部上，以及移除部分该前驱层以形成多个凸出部，其中该多个凸出部以二维阵列方式排列于该基底部的该表面上，且该多个凸出部各包含第一部分以及位于该第一部分上的第二部分，该第一部分一体成形于该基底部；

形成缓冲层于该基底部上且覆盖该些凸出部，其中，该缓冲层包含氮化铝材料；以及

形成Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层于该缓冲层上；

其中，该发光元件具有一(102)面的X-射线绕射(XRD)的半高宽数值，该半高宽数值小于250arcsec；

该凸出部的材料不同于该缓冲层；以及

该第一部分的高度占该凸出部的高度的1％至30％，即含1％和30％。

9.如权利要求8所述的发光元件的制法，其中该图案化步骤包含自该基底部的该表面移除部分该基底部以形成该多个凸出部。

10.如权利要求8所述的发光元件的制法，其中该缓冲层以物理气相沉积法所形成。

11.如权利要求8所述的发光元件的制法，其中在该发光元件的一剖视图中，该多个凸出部其中之一与该基底部的该表面间形成一夹角，该夹角小于65度。

12.如权利要求8所述的发光元件的制法，其中该多个凸出部各具有一不大于1.5μm的高度。