[发明专利]发光元件

说明书

本发明公开一种发光元件，其包含：一基板结构，包含一基底部，其具有一表面以及多个凸出部，多个凸出部以二维阵列方式排列于基底部的表面上；以及一缓冲层，其覆盖于多个凸出部及表面上，其中，缓冲层包含氮化铝材料；以及Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体层，位于缓冲层上；其中，多个凸出部各包含第一部分以及位于第一部分上的第二部分，且第一部分一体成形于基底部；以及发光元件具有一(102)面的X‑射线绕射(XRD)的一半高宽数值，半高宽数值小于250arcsec。

技术领域

本发明涉及一种发光元件，尤其是涉及一种具有基板结构的发光元件。

背景技术

发光二极管被广泛地用于固态照明光源。相较于传统的白炽灯泡和荧光灯，发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此发光二极管已逐渐取代传统光源，并且应用于各种领域，如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。

发明内容

本发明提供一种发光元件，包含：一基板结构，包含一基底部，其具有一表面以及多个凸出部，多个凸出部以二维阵列方式排列于基底部的表面上；以及一缓冲层，其覆盖于多个凸出部及表面上，其中，缓冲层包含氮化铝材料；其中，多个凸出部各具有一不大于1.5μm的高度；以及其中，发光元件具有一(102)面的X-射线绕射(XRD)的一半高宽数值，半高宽数值小于250arcsec。

本发明提供一种发光元件，包含：一基板结构，包含一基底部，其具有一表面以及多个凸出部，多个凸出部以二维阵列方式排列于基底部的表面上；以及一缓冲层，其覆盖于多个凸出部及表面上，其中，缓冲层包含氮化铝材料；以及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层，位于缓冲层上；其中，多个凸出部各包含第一部分以及位于第一部分上的第二部分，且第一部分一体成形于基底部；以及发光元件具有一(102)面的X-射线绕射(XRD)的一半高宽数值，半高宽数值小于250arcsec。

一种发光元件的制法，包含以下步骤：提供一基板结构其包含一基底部其具有一表面、多个凸出部以一二维阵列方式排列于基底部的表面上；形成一氮化铝缓冲层于基底部的表面上且覆盖凸出部；其中，多个凸出部各具有一不大于1.5μm的高度；其中，发光元件具有一(102)之X-射线绕射(XRD)的半高宽值小于250arcsec。

本申请提供一种发光元件的制法，其包含以下步骤：提供一基底部，其中基底部具有一表面；实施一图案化步骤，该图案化步骤包含形成前驱层在基底部上，以及移除部分前驱层部以形成多个凸出部，其中多个凸出部以一二维阵列方式排列于基底部的表面上；形成一缓冲层于基底部上且覆盖些凸出部，其中，缓冲层包含氮化铝材料；以及形成Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层于缓冲层上；其中，发光元件具有一(102)面的X-射线绕射(XRD)的一半高宽数值，半高宽数值小于250arcsec。

本申请提供一种一种发光元件的制法，其包含以下步骤：提供一基材，其中基材具有一上表面；实施一图案化步骤，以形成一基板结构，其包含基底部及多个凸出部，其中基底部包含一表面，多个凸出部以二维阵列方式排列于基底部的表面上；形成一缓冲层于基底部的表面上且覆盖些凸出部，其中，缓冲层包含氮化铝材料；其中，多个凸出部其中之一具有一不大于1.5μm的高度；其中，发光元件具有一(102)面的X-射线绕射(XRD)的一半高宽数值，半高宽数值小于250arcsec。

附图说明

图1A及图1B为本发明发光元件的一具体实施例的示意图；

图2A及图2B为本发明发光元件的一具体实施例的示意图；

图3A及图3B为本发明发光元件的一具体实施例的示意图；

图4A及图4B为俯视图，分别显示本发明发光元件基板结构不同态样的具体实施例；

图5A及图5B为剖视图，分别显示本发明发光元件凸出部不同态样的具体实施例。

符号说明

100、200、300 发光元件