[发明专利]一种ITO退火工艺有效
| 申请号： | 201910348733.7 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111863342B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 谷全超 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/324;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ito 退火 工艺 | ||
1.一种ITO退火工艺，其特征在于，包括：
S11、将待退火工件固定于载台上，所述待退火工件包括ITO薄膜，所述ITO薄膜位于所述待退火工件远离所述载台的一侧；
S12、对准激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的几何中心和第一表面的几何中心，所述第一表面为所述ITO薄膜远离所述载台的表面；
S13、调节所述光斑的尺寸，使所述光斑的直径等于第一线段的长度，所述第一线段为穿过所述第一表面的几何中心且两端均位于所述第一表面边缘上的多条线段中长度最短的线段；
S14、对所述ITO薄膜上所述光斑所在位置处进行预设时长的曝光。
2.根据权利要求1所述的ITO退火工艺，其特征在于，所述待退火工件还包括衬底，所述ITO薄膜形成于所述衬底上。
3.根据权利要求2所述的ITO退火工艺，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
4.根据权利要求1所述的ITO退火工艺，其特征在于，所述对准激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的几何中心和第一表面的几何中心，包括：
通过调节所述载台的位置对准激光器发出的激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的几何中心和第一表面的几何中心。
5.根据权利要求1所述的ITO退火工艺，其特征在于，所述调节所述光斑的尺寸之前还包括：
调节所述光斑的光强分布，使在所述光斑的直径方向上，所述光斑的光强呈M型分布。
6.根据权利要求5所述的ITO退火工艺，其特征在于，所述对所述ITO薄膜上所述光斑所在位置处进行预设时长的曝光之前，还包括：
调节所述光斑的能量密度至预设能量密度。
7.根据权利要求6所述的ITO退火工艺，其特征在于，所述预设能量密度的取值范围为0.1J至3J。
8.根据权利要求1所述的ITO退火工艺，其特征在于，所述预设时长大于0小于或等于10s。
9.根据权利要求1所述的ITO退火工艺，其特征在于，所述第一表面的形状为圆形，所述光斑与所述第一表面重合。
10.根据权利要求1所述的ITO退火工艺，其特征在于，将待退火工件固定于载台上之前，还包括：
采用传输手臂将所述待退火工件放置于所述载台上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
