[发明专利]一种ITO退火工艺

说明书

本发明公开了一种ITO退火工艺。所述ITO退火工艺包括：S11、将待退火工件固定于载台上，所述待退火工件包括ITO薄膜，所述ITO薄膜位于所述待退火工件远离所述载台的一侧；S12、对准激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的几何中心和第一表面的几何中心，所述第一表面为所述ITO薄膜远离所述载台的表面；S13、调节所述光斑的尺寸，使所述光斑的直径等于第一线段的长度，所述第一线段为穿过所述第一表面的几何中心且两端均位于所述第一表面边缘上的多条线段中长度最短的线段；S14、对所述ITO薄膜上所述光斑所在位置处进行预设时长的曝光。本发明实施例提供的技术方案，使得ITO薄膜整个待退火区域能够同时进行退火，减少了ITO薄膜的退火时长，提高了ITO薄膜的退火产率。

技术领域

本发明实施例涉及退火工艺领域，尤其涉及一种ITO退火工艺。

背景技术

氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)由氧化铟通过掺杂锡获得，是一种具有良好透明导电性能的n型金属化合物半导体，具有禁带宽、可见光透射率高、电阻率低、机械硬度高和化学稳定性高等优势，被广泛应用于平板显示、导电玻璃、太阳能电池、透明电极等领域。

为改善ITO薄膜的结晶状态，减少晶格缺陷，以提高ITO器件的性能，ITO薄膜形成后，需要对其进行退火处理。现有技术中通常采用热退火或步进扫描式激光退火对ITO薄膜进行退火，其中，热退火工艺需要对待退火ITO薄膜进行加热处理，待退火工件全部暴露于加热环境中，使得非退火面易受损。步进扫描式激光退火工艺依次扫描完整个待退火表面，温度集中于表面，能够解决上述问题，但为了改善退火效果通常采用增加退火遍数的方式，相关文献也表明，增加激光驻留时间(1000shot)可以改善退火效果，这也意味着需要进一步增加扫描向重叠率以达到预期的退火效果。因此，退火时间比较长，产率将会受到很大的影响，综合成本相对较高，对于大规模的工业应用还存在很大的挑战。

发明内容

本发明提供一种ITO退火工艺，以提高ITO薄膜的退火产率。

本发明实施例提供了一种ITO退火工艺，包括：

S11、将待退火工件固定于载台上，所述待退火工件包括ITO薄膜，所述ITO薄膜位于所述待退火工件远离所述载台的一侧；

S12、对准激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的几何中心和第一表面的几何中心，所述第一表面为所述ITO薄膜远离所述载台的表面；

S13、调节所述光斑的尺寸，使所述光斑的直径等于第一线段的长度，所述第一线段为穿过所述第一表面的几何中心且两端均位于所述第一表面边缘上的多条线段中长度最短的线段；

S14、对所述ITO薄膜上所述光斑所在位置处进行预设时长的曝光。

本发明实施例提供的技术方案，通过在采用激光退火工艺对包括ITO薄膜的待退火工件退火的过程中，调节激光束在ITO薄膜表面形成的光斑的尺寸，使光斑的直径等于第一线段的长度，其中，第一线段为穿过第一表面的几何中心且两端均位于第一表面边缘上的多条线段中长度最短的线段，再对ITO薄膜上光斑位置处进行预设时长的曝光，使得ITO薄膜整个待退火区域能够同时进行退火，减少了ITO薄膜的退火时长，提高了ITO薄膜的退火产率。

附图说明

为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种ITO退火工艺的流程示意图；

图2是本发明实施例提供的一种ITO薄膜表面上形成光斑后的俯视结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种退火过程示意图；