[发明专利]一种薄膜晶体管结构在审
| 申请号： | 201910351411.8 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110120427A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈书志 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属导电层 玻璃基板 薄膜晶体管 寄生电容 投影 薄膜晶体管结构 氧化铟锡层 栅极绝缘层 电压效应 钝化层 画质 减小 贯通 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
玻璃基板；
第一金属导电层，设置在所述玻璃基板上方；
栅极绝缘层，覆盖在所述第一金属导电层上方；
a-Si:H层，设置在所述栅极绝缘层上方；
n+a-Si:H层，设置在所述a-Si:H层的上方；
第二金属导电层，设置在所述n+a-Si:H层上；
钝化层，覆盖在所述第二金属导电层以及栅极绝缘层上；以及
氧化铟锡层，设置在所述钝化层上，所述氧化铟锡层部分覆盖所述钝化层；
其中所述第二金属导电层在所述玻璃基板上的投影与所述第一金属导电层在所述玻璃基板上的投影没有重叠。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述a-Si:H层部分覆盖所述栅极绝缘层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述n+a-Si:H层设置在所述a-Si:H层的两边位置，并且部分覆盖所述a-Si:H层。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属导电层分为位于左侧n+a-Si:H层上方的左侧所述第二金属导电层和位于右侧n+a-Si:H层上方的右侧所述第二金属导电层。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层在右侧所述第二金属导电层上方设置第一开口。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化铟锡层通过所述第一开口与位于右侧所述第二金属导电层连接。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属导电层至少是钼、铝、钛及铜中任一金属。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属导电层至少是钼、铝、钛及铜中任一金属。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层、所述a-Si:H层以及所述n+a-Si:H层三层薄膜是通过化学气相沉积法一次连续淀积完成。
10.一种显示装置，包括如权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管。
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