[发明专利]一种薄膜晶体管结构

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：玻璃基板；第一金属导电层；栅极绝缘层；a‑Si:H层；n⁺a‑Si:H层；第二金属导电层；钝化层；氧化铟锡层；其中所述第二金属导电层在所述玻璃基板上的投影与所述第一金属导电层在所述玻璃基板上的投影没有重叠，从而减小了寄生电容(Cgd)，寄生电容下降可以改善贯通电压效应并改善面板的画质以及提升面板的显示亮度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管。

背景技术

在平板显示技术领域，薄膜晶体管液晶显示器件(Thin Film TransistorLiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低等优点，逐渐在当今平板显示市场占据了主导地位。薄膜晶体管被广泛应用各种显示装置中，例如，液晶显示器、有机发光二极管显示器等。

薄膜晶体管可以包括栅极电极、源/极电极、有源层、栅极绝缘层、钝化层以及氧化铟锡层等。薄膜晶体管的结构可以分为底栅结构和顶栅结构。目前的液晶显示器广泛采用的是底栅结构。根据制作工艺的差异，底栅结构一般分为背沟道刻蚀型结构(Back-channelEtchant，BCE)和刻蚀阻挡层型结构(Etched-stopper Layer，ESL)。两种结构相比，背沟道刻蚀结构的制程工艺步骤较少，即其制作成本更低廉，目前，面板厂商都广泛采用了背沟道刻蚀型结构，一方面是其电学特性能满足显示器的要求，另外得益于设计和工艺技术的提升，背沟道刻蚀型结构的制程更简易。

而目前的背沟道刻蚀型结构薄膜晶体管由于源漏电极和栅电极的投影覆盖面积较大，从而导致薄膜晶体管的寄生电容(Cgd)较大，而产生贯通电压，导致显示面板的画质较差，亮度较低。寄生电容(Cgd)下降可以改善贯通电压效应并改善面板的画质以及面板的显示亮度。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管，可减小甚至消除源漏电极和栅电极的投影覆盖面积，以解决现有技术的背沟道刻蚀型结构薄膜晶体管的寄生电容(Cgd)较大，从而产生贯通电压，导致显示面板的画质较差，亮度较低的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

玻璃基板；

第一金属导电层，设置在所述玻璃基板上方；

栅极绝缘层，覆盖在所述第一金属导电层上方；

a-Si:H层，设置在所述栅极绝缘层上方；

n⁺a-Si:H层，设置在所述a-Si:H层的上方；

第二金属导电层，设置在所述n⁺a-Si:H层上；

钝化层，覆盖在所述第二金属导电层以及栅极绝缘层上；以及

氧化铟锡层，设置在所述钝化层上，所述氧化铟锡层部分覆盖所述钝化层；

其中所述第二金属导电层在所述玻璃基板上的投影与所述第一金属导电层在所述玻璃基板上的投影没有重叠。

根据本发明实施例所提供的薄膜晶体管，所述a-Si:H层部分覆盖所述栅极绝缘层。

根据本发明实施例所提供的薄膜晶体管，所述n⁺a-Si:H层设只在所述a-Si:H层的两边位置，并且部分覆盖所述a-Si:H层。

根据本发明实施例所提供的薄膜晶体管，所述第二金属导电层分为位于左侧n⁺a-Si:H层上方的左侧所述第二金属导电层和位于右侧n⁺a-Si:H层上方的右侧所述第二金属导电层。