[发明专利]一种磁控溅射镀膜设备

说明书

本发明公开了一种磁控溅射镀膜设备，包括真空室，真空室的内部下端设有基片台，基片台的上端设有靶座，靶座的上端设有固定装置，真空室的内部上端设有旋转装置，旋转装置的下端设有连接件，连接件的一端设有磁控靶，其中，旋转装置包括固定架，固定架的上端与真空室的内部上端连接，固定架上端之间设有两组固定杆，固定杆上套设有滑板，滑板的顶部两侧穿插设有两组活动杆，并且，两组活动杆的一端与连接件的一侧固定连接，两组活动杆远离连接件的一端设有活动块，活动块的下端设有滑块，滑块位于滑槽的内侧，滑块与滑槽相互配合，滑槽位于活动盘的上端，活动盘的下端一侧与固定架连接，滑块内穿插设有与滑块相配合的丝杆。

技术领域

本发明涉及磁控溅射技术领域，具体来说，涉及一种磁控溅射镀膜设备。

背景技术

目前，磁控溅射技术是在物理科学、材料科学领域中已广泛使用的实验和生产的表面改性技术。磁控溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积基片上的技术，是在溅射的环境中加入磁场，利用磁场的洛伦兹力束缚阴极靶表面电子运动，导致轰击靶材的高能离子增多和轰击基片的高能电子减少，使镀膜过程具有低温高速等特点，市场上的磁控溅射镀膜装置中，多靶共溅射方式为多靶同时对一个工位进行溅射试验，对于同批不同样品间的薄膜各组元的均匀性和一致性很难得到保证。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明的目的在于提供一种磁控溅射镀膜设备，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种磁控溅射镀膜设备，包括真空室，所述真空室的内部下端设有基片台，所述基片台的上端设有靶座，所述靶座的上端设有固定装置，所述真空室的内部上端设有旋转装置，所述旋转装置的下端设有连接件，所述连接件的一端设有溅射镀膜设备，其中，所述旋转装置包括固定架，并且，所述固定架的上端与所述真空室的内部上端连接，所述固定架上端之间设有两组固定杆，所述固定杆上套设有滑板，所述滑板的顶部两侧穿插设有两组活动杆，并且，两组所述活动杆的一端与所述连接件的一侧固定连接，两组所述活动杆远离所述连接件的一端设有活动块，所述活动块的下端设有滑块，所述滑块位于滑槽的内侧，所述滑块与所述滑槽相互配合，并且，所述滑槽位于活动盘的上端，所述活动盘的下端一侧与所述固定架连接，所述滑块内穿插设有与所述滑块相配合的丝杆，并且，所述丝杆位于所述滑槽的内侧，所述丝杆的一端且位于所述滑槽的外侧设有电机。

进一步的，并且，所述滑板呈双层结构，两组所述固定杆贯穿在所述滑板的下端，两组所述活动杆贯穿在所述滑板的上端，并且，所述固定杆与所述活动杆之间相互垂直。

进一步的，所述丝杆与所述滑块及所述滑槽的连接处均设有与所述丝杆相配合的内螺纹。

进一步的，所述活动盘的下端与所述固定架之间通过支撑架固定连接，并且，所述活动盘的下端底部设有活动轴，并且，所述活动轴的下端连接有驱动电机。

进一步的，所述固定装置包括底座，并且，所述底座位于所述真空室的内部下端，所述底座的内侧开设有限位槽，所述限位槽的内侧分别设有夹块一与夹块二，所述夹块二的下端设有连接杆。

进一步的，所述连接杆的下端贯穿在所述底座的下端，并且，所述连接杆上且位于所述夹块二与所述底座之间套设有弹簧，所述底座的内部下端设有与所述连接杆相配合的通孔，所述连接杆的下端与气缸的输出轴连接。

进一步的，所述夹块一的下端一侧设有凸块，所述夹块二的下端一侧设有与所述凸块相配合的卡槽，并且，所述夹块一与所述夹块二的上端一侧均设有凹槽。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

（1）、本发明的结构理想、简单，通过对基片台进行改进，在试验过程中，通过固定装置对镀膜工件进行固定，使得在加工的过程中更加的稳定；