[发明专利]用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法在审
| 申请号： | 201910355371.4 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN109968799A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 连维飞;张树德;胡党平;魏青竹;倪志春 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | B41F15/36 | 分类号： | B41F15/36;B41M1/12;B41M1/26;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 215500 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶硅电池 背电极 遮挡件 遮挡区域 网版 网版本体 预设位置 镂空区域 铝浆 银浆 制备 性能损失 银电极 主栅 背面 印刷 申请 | ||
1.一种用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，包括：
用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；
设置在所述网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，所述预设位置为与所述P型硅片的主栅相对应的位置；
所述遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，所述遮挡区域与使银浆和所述P型硅片直接相接触的区域相对应。
2.根据权利要求1所述的用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，所述镂空区域包括多个子镂空区域。
3.根据权利要求2所述的用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，所述子镂空区域呈阵列分布。
4.根据权利要求3所述的用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，所述子镂空区域呈2×5阵列、3×5阵列、3×6阵列、3×7阵列、4×7阵列、4×8阵列中的任意一种阵列分布。
5.根据权利要求3所述的用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，所述子镂空区域为圆点、椭圆、方形、三角形中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，所述网版本体的尺寸与所述P型硅片的尺寸相等。
7.根据权利要求1至6任一项所述的用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，与所述P型硅片的每条主栅相对应的位置上分布有多个所述遮挡件，且多个所述遮挡件呈分段分布。
8.根据权利要求7所述的用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，所述遮挡件为感光胶。
9.一种晶硅电池背电极制备方法，其特征在于，包括：
利用网版在P型硅片背面印刷铝浆，并进行烘干，其中，所述网版为如权利要求1至8任一项所述的用于晶硅电池背电极的网版；
在P型硅片背面的预设位置处印刷银浆，并进行烧结，以得到背电极，其中，所述预设位置为与所述P型硅片的主栅相对应的位置。
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