[发明专利]用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法

说明书

本发明公开了一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法，其中，该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。本申请公开的上述技术方案，可以通过所设置的遮挡件中的镂空区域增大铝浆与P型硅片的接触面积，相应地，则可以通过遮挡件中的遮挡区域降低银浆与P型硅片的直接接触面积，因此，则可以降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，进而可以提高P型晶硅电池的性能。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造技术领域，更具体地说，涉及一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法。

背景技术

P型晶硅太阳能电池由于制备工艺成熟、电池转换效率高而被广泛应用在光伏行业中。其中，无论是P型单晶电池还是P型多晶电池，其常规铝背场结构还是以PERC(Passivated Emitter and Rear Cell，钝化发射极背面接触电池)为主。

目前，P型晶硅电池的背面电极主要通过以下方式来实现：在P型晶硅电池背面除整个主栅之外的区域印刷烧结铝层，然后，在整个主栅的位置印刷烧结银电极，以使银电极在电池的主栅位置处与P型硅片相接触，但由于该方式中银电极与P型硅片的接触面积比较大，而银电极又无法形成BSF(Back Surface Field，背电场)甚至会破坏钝化膜层，因此，这种实现方式会导致P型晶硅电池在银电极位置处产生比较大的性能损失，从而则会电池的性能产生影响。

综上所述，如何降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，从而提高P型晶硅电池的性能，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法，以借助该网版降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，从而提高P型晶硅电池的性能。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种用于晶硅电池背电极的网版，包括：

用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；

设置在所述网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，所述预设位置为与所述P型硅片的主栅相对应的位置；

所述遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，所述遮挡区域与使银浆和所述P型硅片直接相接触的区域相对应。

优选的，所述镂空区域包括多个子镂空区域。

优选的，所述子镂空区域呈阵列分布。

优选的，所述子镂空区域呈2×5阵列、3×5阵列、3×6阵列、3×7阵列、4×7阵列、4×8阵列中的任意一种阵列分布。

优选的，所述子镂空区域为圆点、椭圆、方形、三角形中的任意一种。

优选的，所述网版本体的尺寸与所述P型硅片的尺寸相等。

优选的，与所述P型硅片的每条主栅相对应的位置上分布有多个所述遮挡件，且多个所述遮挡件呈分段分布。

优选的，所述遮挡件为感光胶。

一种晶硅电池背电极制备方法，包括：

利用网版在P型硅片背面印刷铝浆，并进行烘干，其中，所述网版为如上述任一项所述的用于晶硅电池背电极的网版；

在P型硅片背面的预设位置处印刷银浆，并进行烧结，以得到背电极，其中，所述预设位置为与所述P型硅片的主栅相对应的位置。