[发明专利]多层存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种多层存储器，其特征在于，包括：

多个存储层的堆叠结构，其中，所述存储层具有中间区域及位于边缘的第一边缘区域和第二边缘区域；第n+1个存储层的面积小于第n个存储层的面积，且第n+1个存储层堆叠在第n个存储层的中间区域；

第一电路层，位于所述堆叠结构的第一端面且具有字线驱动器；所述字线驱动器通过驱动线与所述存储层连接；其中，第m个存储层的驱动线，包括：

第一部分，分别连接第m个存储层的第一边缘区域和所述字线驱动器，用于供所述字线驱动器从所述第一边缘区域向所述第m个存储层的存储单元提供字线驱动；m和n为小于所述存储层总层数的正整数；

第二部分，与所述字线驱动连接；

第三部分，平行于所述第一部分并穿透第二电路层，其中，第二电路层位于所述堆叠结构的第二端面，所述第二端面与所述第一端面相对设置；

第四部分，位于所述第二电路层上；

第五部分，与所述第四部分连接，并穿透所述第二电路层；

第六部分，与所述第五部分连接，平行于所述第四部分；

第七部分，分别与所述第六部分及第m个所述存储层的第二边缘区连接，其中，所述第二部分至所述第七部分，用于所述字线驱动器从所述第二边缘向所述第m个存储层的存储单元提供字线驱动。

2.根据权利要求1所述的多层存储器，其特征在于，所述多层存储器还包括：

页缓冲区，设置在所述第一电路层上，用于缓存写入所述存储阵列的数据。

3.根据权利要求2所述的多层存储器，其特征在于，在所述第一电路层的边缘并列设置有所述字线驱动器和部分页缓冲区。

4.根据权利要求2或3所述的多层存储器，其特征在于，

所述第四部分在第二电路层上沿第一方向设置；

所述存储阵列中存储单元的位线沿第二方向设置，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；

所述页缓冲区和所述字线驱动器均沿所述第一方向设置在所述第一电路层边缘。

5.根据权利要求1至3任一项所述的多层存储器，其特征在于，包括：

并列设置的第一存储区域和第二存储区域；

所述第一存储区域内设置有第一堆叠结构；

所述第二存储区域内设置有第二堆叠结构；

所述第一存储区域和所述第二存储区域，位于同一个存储芯片上，其中，所述第一电路层为所述存储芯片的组成部分。

6.根据权利要求5所述的多层存储器，其特征在于，所述存储芯片上具有公共区域；其中，所述公共区域内设置有供所述第一存储区域和所述第二存储区域共用的公共信号线。

7.根据权利要求6所述的多层存储器，其特征在于，所述公共信号线包括以下至少之一：

公共控制信号线，用于分别向所述第一存储区域和所述第二存储区域提供公共控制信号；

公共电源线，用于分别向所述第一存储区域和第二存储区域提供供电信号。

8.根据权利要求1至3任一项所述的多层存储器，其特征在于，

所述字线驱动器，与通过混合金属成键形成的金属键分别与所述第一部分和所述第二部分连接。