[发明专利]多层存储器及其制作方法

说明书

本发明实施例公开了一种多层存储器及其制作方法。多层存储器包括：多个存储层的堆叠结构，存储层具有第一边缘区域和第二边缘区域；第一电路层，位于堆叠结构的第一端面且具有字线驱动器；字线驱动器通过驱动线与存储层连接；第m个存储层的驱动线，包括：第一部分，连接第m个存储层的第一边缘区域和字线驱动器；第二部分，与字线驱动连接；第三部分，平行于第一部分并穿透第二电路层，其中，第二电路层位于堆叠结构的第二端面，第二端面与第一端面相对设置；第四部分，位于第二电路层上；第五部分，与第四部分连接，并穿透第二电路层；第六部分，与第五部分连接，平行于第四部分；第七部分，分别与第六部分及第m个存储层的第二边缘区连接。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种多层存储器及其制作方法。

背景技术

双字线(Word Line，WL)驱动的双侧字线驱动的多层存储器。在相关技术的存储器中，若将字线驱动器和页缓冲区设置在一个电路层上，但是两者的走线资源冲突，为了实现字线驱动器和页缓冲区在同一个电路层且没有金属走线资源的冲突，会将字线驱动器设置在该电路层对应于存储区域的外侧，如此会导致存储芯片在横向上的面积增大。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供一种多层存储器及其制作方法。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种多层存储器，包括：

多个存储层的堆叠结构，其中，所述存储层具有中间区域及位于边缘的第一边缘区域和第二边缘区域；第n+1个存储层的面积小于第n个存储层的面积，且第n+1个存储层堆叠在第n个存储层的中间区域；n为正整数；

第一电路层，位于所述堆叠结构的第一端面且具有字线驱动器；所述字线驱动器通过驱动线与所述存储层连接；其中，第m个存储层的驱动线，包括：

第一部分，分别连接第m个存储层的第一边缘区域和所述字线驱动器，用于供所述字线驱动器从所述第一边缘区域向所述第m个存储层的存储单元提供字线驱动；m为小于所述存储层总层数的正整数；

第二部分，与所述字线驱动连接；

第三部分，平行于所述第一部分并穿透第二电路层，其中，第二电路层位于所述堆叠结构的第二端面，所述第二端面与所述第一端面相对设置；

第四部分，位于所述第二电路层上；

第五部分，与所述第四部分连接，并穿透所述第二电路层；

第六部分，与所述第五部分连接，平行于所述第四部分；

第七部分，分别与所述第六部分及第m个所述存储层的第二边缘区连接，其中，所述第二部分至所述第七部分，用于所述字线驱动器从所述第二边缘向所述第m个存储层的存储单元提供字线驱动。

基于上述方案，所述多层存储器还包括：

页缓冲区，设置在所述第一电路层上，用于缓存写入所述存储阵列的数据。

基于上述方案，在所述第一电路层的边缘并列设置有所述字线驱动器和部分页缓冲区。

基于上述方案，所述第四部分在第二电路层上沿第一方向设置；

所述存储阵列中存储单元的位线沿第二方向设置，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；

所述页缓冲区和所述字线驱动器均沿所述第一方向设置在所述第一电路层边缘。

基于上述方案，包括：

并列设置的第一存储区域和第二存储区域；

所述第一存储区域内设置有第一堆叠结构；

所述第二存储区域内设置有第二堆叠结构；