[发明专利]一种NOR flash存储器编程的方法、装置以及NOR flash存储器在审
| 申请号： | 201910357011.8 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111863083A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘言言;许梦;付永庆 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nor flash 存储器 编程 方法 装置 以及 | ||
1.一种NOR flash存储器编程的方法，其特征在于，所述NOR flash存储器包括：存储单元，所述方法包括：
接收编程操作指令；
判断待编程存储单元的阈值电压是否小于预设值；
若所述阈值电压大于所述预设值，则对所述阈值电压大于所述预设值的待编程存储单元执行低压编程操作，所述低压编程操作的电压小于正常编程操作的电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低压编程操作的电压的取值为：
所述正常编程操作的电压值减去目标电压值，所述目标电压值是以避免所述阈值电压大于所述预设值的待编程存储单元执行所述正常编程操作后阈值电压过高而确定的。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在判断待编程存储单元的阈值电压是否小于预设值之后，所述方法还包括：
若所述阈值电压小于所述预设值，则对所述阈值电压小于所述预设值的待编程存储单元执行所述正常编程操作。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
接收擦除操作指令；
对执行过所述低压编程操作的存储单元执行第一擦除操作，所述第一擦除操作所需时间为第一时间；
对没有执行过所述低压编程操作的存储单元执行第二擦除操作，所述第二擦除操作所需时间为第二时间，所述第一时间小于所述第二时间。
5.一种NOR flash存储器编程的装置，其特征在于，所述NOR flash存储器包括：存储单元，所述装置包括：
第一接收模块，用于接收编程操作指令；
判断模块，用于判断待编程存储单元的阈值电压是否小于预设值；
低压编程模块，用于若所述阈值电压大于所述预设值，则对所述阈值电压大于所述预设值的待编程存储单元执行低压编程操作，所述低压编程操作的电压小于正常编程操作的电压。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
取值模块，用于所述正常编程操作的电压值减去目标电压值，得到所述低压编程操作的电压。
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
正常编程模块，用于若所述阈值电压小于所述预设值，则对所述阈值电压小于所述预设值的待编程存储单元执行所述正常编程操作。
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
第二接收模块，用于接收擦除操作指令；
擦除模块，用于对执行过所述低压编程操作的存储单元执行第一擦除操作，所述第一擦除操作所需时间为第一时间；
还用于对没有执行过所述低压编程操作的存储单元执行第二擦除操作，所述第二擦除操作所需时间为第二时间，所述第一时间小于所述第二时间。
9.一种NOR flash存储器，其特征在于，所述NOR flash存储器包括：存储单元，所述NORflash存储器用于执行权利要求1-4任一所述的方法。
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