[发明专利]一种NOR flash存储器编程的方法、装置以及NOR flash存储器

说明书

本发明提供了一种NOR flash存储器编程的方法、装置以及NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：存储单元，所述方法包括：接收编程操作指令，判断待编程存储单元的阈值电压是否小于预设值，若阈值电压大于预设值，则对阈值电压大于预设值的待编程存储单元执行低压编程操作。本发明在执行编程操作时，对大于预设值的存储单元执行低压编程操作，使得该存储单元执行编程操作后不会被编程到很高的阈值电压，低压编程操作后存储单元的阈值电压相对更加集中，并且因为低压编程操作后存储单元的阈值电压相较于正常编程操作后存储单元的阈值电压低，其执行擦除操作就会比正常编程操作后存储单元快一些，从整体上提高NOR flash存储器的编程性能和擦除性能。

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种NOR flash存储器编程的方法、装置以及NORflash存储器。

背景技术

目前NOR flash存储器在执行编程操作时，对需要编程的不同存储单元，统一施加相同的编程电压执行编程操作，对于原先阈值电压在擦除阈值范围中相对较高的存储单元就很容易被编程到一个很高的阈值电压，可能会造成阈值电压分布交叠，从而导致编程数据出错，并且这部分被编程的存储单元在执行擦除操作时就会擦除的比较慢。

参照图1，示出了现有NOR flash存储器的4位(bit)存储单元执行编程时的阈值电压分布原理示意图，其中Vread1、Vread2、Vread3是不同状态时读操作电压，执行编程操作时，假如需要存储单元从“00”状态编程到“01”，因编程电压相同，那么处在“00”阈值电压分布右端的存储单元1，在执行编程操作后，就有可能把处于“00”右端的存储单元1编程到“01”与“10”交接处，甚至直接编程成“10”的存储单元，由此造成“01”与“10”存储单元数据出错。

发明内容

本发明提供的一种NOR flash存储器编程的方法、装置以及NOR flash存储器，解决了因采用同样的编程电压执行编程操作，使得原本阈值电压比较高的存储单元会被编程到很高的阈值电压，导致编程后阈值电压过于分散的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种NOR flash存储器编程的方法，所述NOR flash存储器包括：存储单元，所述方法包括：

接收编程操作指令；

判断待编程存储单元的阈值电压是否小于预设值；

若所述阈值电压大于所述预设值，则对所述阈值电压大于所述预设值的待编程存储单元执行低压编程操作，所述低压编程操作的电压小于正常编程操作的电压。

可选地，所述低压编程操作的电压的取值为：

所述正常编程操作的电压值减去目标电压值，所述目标电压值是以避免所述阈值电压大于所述预设值的待编程存储单元执行所述正常编程操作后阈值电压过高而确定的。

可选地，在判断待编程存储单元的阈值电压是否小于预设值之后，所述方法还包括：

若所述阈值电压小于所述预设值，则对所述阈值电压小于所述预设值的待编程存储单元执行所述正常编程操作。

可选地，所述方法还包括：

接收擦除操作指令；

确定所述擦除操作指令针对的存储单元是否执行过所述低压编程操作；

对执行过所述低压编程操作的存储单元执行第一擦除操作，所述第一擦除操作所需时间为第一时间；

对没有执行过所述低压编程操作的存储单元执行第二擦除操作，所述第二擦除操作所需时间为第二时间，所述第一时间小于所述第二时间。

本发明实施例还提供了一种NOR flash存储器编程的装置，所述NOR flash存储器包括：存储单元，所述装置包括：