[发明专利]一种超薄纳米空心球MoSe2材料的制备方法

权利要求书

1.一种超薄纳米空心球MoSe₂材料的制备方法，其特征在于，所述超薄纳米空心球MoSe₂材料的制备方法包括：

第一步，原料与设备准备，原料包括：钼酸盐、硒粉和水合肼；

第二步，将钼酸盐溶于去离子水中，磁力搅拌下调节pH为碱性，加入硒粉，搅拌均匀后加入水合肼作为还原剂，磁力搅拌至分散均匀；

第三步，将反应得到的混合液转移至内衬为聚四氟乙烯的高压反应釜中，在180℃～210℃的条件下水浴加热24～72h，得到反应产物；

第四步，将反应产物通过离心机离心，收集下层沉淀物，经去离子水和无水乙醇分别交替清洗三次；

第五步，洗涤后的产物烘干机，烘干机应用干基含水率控制模型烘干，再利用真空管式炉在惰性气体氛围、300～550℃的条件下退火处理，即得MoSe₂超薄纳米空心球。

2.如权利要求1所述超薄纳米空心球MoSe₂材料的制备方法，其特征在于，所述钼酸盐为钼酸铵，钼酸铵与硒粉的摩尔比为1.1～1.2:2，添加的水合肼为8～15mL。

3.如权利要求1所述超薄纳米空心球MoSe₂材料的制备方法，其特征在于，所述惰性气体氛围为氩气或氮气。

4.如权利要求1所述超薄纳米空心球MoSe₂材料的制备方法，其特征在于，所述离心机的离心转盘为不规则圆弧型结构，在三维建模软件中构建同比例的结构模型，计算离心转盘未加试剂卡槽的转动惯量为：

离心转盘的离心力计算公式为：

其中m为离心转盘上一点处的质量，r为离心转盘上该点距转盘中心轴的半径；

则直流无刷电机所需的转动力矩为：

M＝J·ε＝Jω/t；

其中ε为离心转盘的角加速度。

5.如权利要求1所述超薄纳米空心球MoSe₂材料的制备方法，其特征在于，所述干基含水率控制模型包括：

单项式扩散模型：

M_R＝Ae^-kt；

式中，M_R为水分比，t为烘干时间，s；A，k，为待定系数。