[发明专利]电流比较读电路在审
| 申请号： | 201910357973.3 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110097914A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 詹泽红 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连接端 电流比较 读电路 存储单元 一端连接 恒流源 嵌入式非易失性存储器 第二信号 连接电源 功耗 读出 | ||
1.一种电流比较读电路，用于嵌入式非易失性存储器，其特征在于，包括：第一～第四MOS(M1-M4)、存储单元(bitcell)和恒流源(CCS)；
第一MOS(M1)和第二MOS(M2)的第一连接端和第四连接端连接电源(VDDL),第一MOS(M1)和第二MOS(M2)的第二连接端分别连接第三MOS(M3)和第四MOS(M4)的第二连接端，第三MOS(M3)的第一连接端连接存储单元(bitcell)，存储单元(bitcell)另一端连接地(VSS)，第四MOS(M4)的第一连接端连接恒流源(CCS)，恒流源(CCS)另一端连接地(VSS)，第三MOS(M3)和第四MOS(M4)的第四连接端连接地(VSS)，第一MOS(M1)和第二MOS(M2)的第三连接端作为该电流比较读电路的第一信号连接端(A),第三MOS(M3)和第四MOS(M4)的第三连接端作为该电流比较读电路的第二信号连接端(B)。
2.如权利要求1所述的电流比较读电路，其特征在于：第一MOS(M1)和第二MOS(M2)是PMOS，第三MOS(M3)和第四MOS(M4)是NMOS。
3.如权利要求2所述的电流比较读电路，其特征在于：第一～第四MOS(M1-M4)的第一连接端是源极，第二连极端是漏极，第三连接端是栅极，第四连接端是衬底。
4.如权利要求3所述的电流比较读电路，其特征在于：充电阶段(precharge)，第一MOS(M1)和第二MOS(M2)导通，第三MOS(M3)和第四MOS(M4)的第一连接端电压通过他模块镜像稳压为第一预设电压，第三MOS(M3)和第四MOS(M4)的第二连接端电压是Vds电压与Vcl电压之和，Vds是第三MOS(M3)、第四MOS(M4)的漏极和源极间电压,Vcl是第一预设电压。
5.如权利要求1所述的电流比较读电路，其特征在于：存储单元(bitcell)包括第五MOS(M5)和第六MOS(M6)；
第五MOS(M5)第二连接端作为该存储单元(bitcell)的第一连接端，第五MOS(M5)的第一连接端连接第六MOS(M6)的第二连接端，第六MOS(M6)的第一连接端连接地(VSS)，第五MOS(M5)和第六MOS(M6)的第三连接端悬空。
6.如权利要求5所述的电流比较读电路，其特征在于：第五MOS(M5)和第六MOS(M6)是NMOS。
7.如权利要求6所述的电流比较读电路，其特征在于：第五MOS(M5)具有浮栅。
8.如权利要求7所述的电流比较读电路，其特征在于：第五MOS(M5)和第六MOS(M6)的第一连接端是源极，第二连极端是漏极，第三连接端是栅极。
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